Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39832
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив часу інтеркалювання C[3]H[8]O[3] на основні параметри шаруватих кристалів InSe
Authors Фешак, Т.М.
Keywords шаруваті кристали
слоистые кристаллы
layered crystals
напівпровідники
полупроводники
semiconductors
Type Conference Papers
Date of Issue 2014
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/39832
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Фешак, Т.М. Вплив часу інтеркалювання C[3]H[8]O[3] на основні параметри шаруватих кристалів InSe [Текст] / Т.М. Фешак // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 21-26 квітня 2014 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми : СумДУ, 2014. - С. 142.
Abstract Останнім часом зріс інтерес до аналізу впливу впровадження атомів, іонів або молекул у шаруваті напівпровідники класу А[3]В[6]. Зацікавленість процесом інтеркаляції викликана не тільки неповним розуміння її природи, але й багатообіцяючими можливостями практичного застування отриманих на її основі різноманітних інтеркаляційних сполук.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1631
China China
5
Germany Germany
22
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1632
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
367
United Kingdom United Kingdom
5711
United States United States
408
Unknown Country Unknown Country
8

Downloads

China China
6
France France
1
Germany Germany
2
Norway Norway
1
Ukraine Ukraine
328
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1633
Unknown Country Unknown Country
1

Files

File Size Format Downloads
feshak_semiconductors.pdf 196,68 kB Adobe PDF 1973

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.