Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40792
Title: Отримання шарів sic шляхом магнетронного розпилення складеної мішені графіт-кремній
Authors: Zahaiko, Inna Volodymyrivna
Korniushchenko, Hanna Serhiivna
Perekrestov, Viacheslav Ivanovych
Keywords: магнетронне розпилення
магнетронное распыление
magnetron sputtering
карбід кремнію
карбид кремния
silicon carbide
кремній-графітова мішень
кремний-графитовая мишень
silicon-graphite target
Issue Year: 2015
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Загайко, І.В. Отримання шарів sic шляхом магнетронного розпилення складеної мішені графіт-кремній [Текст] / І.В. Загайко, А.С. Корнющенко, В.І. Перекрестов // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 102.
Abstract: Карбід кремнію давно відомий напівпровідниковий матеріал з унікальним сполученням в ньому фізичних та хімічних властивостей, що робить його перспективним для використання в екстремальних умовах. Відомо, що SiC має більш ніж 230 кристалографічних модифікацій, та найбільш стійкими являються 3С-SiC, 4H-SiC і 6H-SiC. Але при отриманні конденсатів карбіду кремнію виникає ряд проблем, пов’язаних зі слабкою летючістю та високою енергією десорбції складових компонентів.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40792
Type: Theses
Appears in Collections:Наукові видання (ЕлІТ)

Views
Other9
Canada1
Germany5
France1
United Kingdom3
Israel1
Italy1
Russia4
Ukraine3
United States1
Downloads
Other7
China7
Germany2
Serbia1
Ukraine4
United States1


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Zahayko_magnetron sputtering.pdf259.05 kBAdobe PDF22Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.