Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 %

Сидор, О.М.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40978

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 %
Authors	Сидор, О.М.
ORCID
Keywords	шаруваті кристали слоистые кристаллы layered crystals гетероструктури гетероструктуры heterostructure гомоперехід гомопереход homojunction напівпровідники полупроводники semiconductors
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40978
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Сидор, О.М. Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 % [Текст] / О.М. Сидор // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 135.
Abstract	Шаруватий кристал InSe (група А3В6) є привабливим матеріалом для перетворювачів сонячної енергії внаслідок високої фоточутливості та оптимальної ширини забороненої зони (1,2 еВ). Додатковою перевагою є його висока радіаційна стійкість.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)