Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40978
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 %
Authors Сидор, О.М.
ORCID
Keywords шаруваті кристали
слоистые кристаллы
layered crystals
гетероструктури
гетероструктуры
heterostructure
гомоперехід
гомопереход
homojunction
напівпровідники
полупроводники
semiconductors
Type Conference Papers
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40978
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Сидор, О.М. Гомоперехід n-InSe–p-InSe : Cd з ефективністю 2,8 % [Текст] / О.М. Сидор // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 135.
Abstract Шаруватий кристал InSe (група А3В6) є привабливим матеріалом для перетворювачів сонячної енергії внаслідок високої фоточутливості та оптимальної ширини забороненої зони (1,2 еВ). Додатковою перевагою є його висока радіаційна стійкість.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
China China
1
France France
1
Germany Germany
337696
Greece Greece
6008
Ireland Ireland
63588
Lithuania Lithuania
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
1494172
United Kingdom United Kingdom
748855
United States United States
22216651
Unknown Country Unknown Country
1494171

Downloads

China China
2
Germany Germany
2
Ireland Ireland
63589
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
18072155
United Kingdom United Kingdom
748856
United States United States
18072154
Unknown Country Unknown Country
2

Files

File Size Format Downloads
Sydor_semiconductors.pdf 284.19 kB Adobe PDF 36956761

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.