Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Доброжан, Олександр Анатолійович; Данильченко, П.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40998

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS
Authors	Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych Данильченко, П.С.
Keywords	тонкие пленки тонкі плівки thin film сонячні елементи солнечные элементы solar cells гетеропереходи гетеропереходы heterojunctions
Type	Conference Papers
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/40998
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Данильченко, П.С. Оптичні втрати на відбивання в сонячних елементах на основі гетеропереходів n-CdS(n-ZnS) / p-CZTS [Текст] / П.С. Данильченко, О.А. Доброжан, А.С. Опанасюк // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 20-25 квітня 2015 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. — Суми: СумДУ, 2015. — С. 150.
Abstract	На сьогоднішній день у масовому виробництві тонкоплівкових сонячних елементів (СЕ) широко використовуються гетеропереходи (ГП) n-CdS/p-(CuInxGa(1 – x)(S, Se)2, CdTe) із верхнім струмознімальним шаром ІТО. Але, такі недоліки як висока вартість In, Ga та Te, токсичність Cd, дають поштовх до пошуку альтернативних функціональних матеріалів та конструкцій фотоперетворювачів.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)