Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41462
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Получение пленок карбида кремния методом магнетронного распыления составной углерод-кремниевой мишени
Other Titles Отримання плівок карбіду кремнію методом магнетронного розпилення складового вуглець-кремнієвої мішені
Authors Perekrestov, Viacheslav Ivanovych
Korniushchenko, Hanna Serhiivna
Zahaiko, Inna Volodymyrivna
Keywords MS Карбид кремния
Магнетронное распыление
Составная мишень
Малые пересыщения
Стехиометрия
Фазовый состав
Элементный состав
MS карбід кремнію
Магнетронне розпилення
Складова мішені
Малі пересичення
Стехіометрія
Фазовий склад
Елементний склад
Silicon carbide
Magnetron sputtering
Compound target
Low supersaturation
Stoichiometry
Phase composition
Elemental composition
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41462
Publisher Сумский государственный университет
Citation В.И. Перекрестов, А.С. Корнющенко, И.В. Загайко, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 2, 16 (2015)
Abstract У роботі проаналізовано відомі методи отримання конденсатів SiC, політипу цього з'єднання, а також запропонована методика отримання карбіду кремнію за допомогою магнетронного розпилення складових мішеней. Наведено розрахунки оптимальних геометричних характеристик складеної з кремнію і графіту мішені для магнетронного розпилення. За результатами дослідження структури конденсатів SiC за допомогою ПЕМ і дифракції електронів, а також на підставі визначення елементного складу при використанні енерго-дисперсійного аналізу були уточнені геометричні характеристики складової мішені, а також встановлені оптимальні технологічні умови отримання конденсатів у вигляді політипу 3С-SiC, з близьким до стехіометричного елементним складом.
В работе проанализированы известные методы получения конденсатов SiC, политипы этого соединения, а также предложена методика получения карбида кремния посредством магнетронного распыления составных мишеней. Приведены расчеты оптимальных геометрических характеристик составленной из кремния и графита распыляемой магнетроном мишени. По результатам исследования структуры конденсатов SiC при помощи ПЭМ и дифракции электронов, а также на основании определения элементного состава при использовании энерго-дисперсионного анализа были уточнены геометрические характеристики составной мишени, а также установлены оптимальные технологические условия получения конденсатов в виде политипа 3С-SiC, с близким к стехиометрическому элементным составом.
In the proposed work conventional methods of SiC layers formation and polytypes of this compound have been reviewed. A new methodology of silicon carbide obtaining has been proposed. It is based on magnetron sputtering of compound targets. The optimal geometrical characteristics of the compound targets made of silicon and graphite have been calculated. The condensates structure and composition were studied with help of transmission electron microscopy (TEM), electron diffraction along with the energy dispersive X-ray elemental analysis. On the basis of the investigations the geometrical characteristics of the compound target and the optimal technological parameters required for the formation of silicon carbide in the form of 3С-SiC polytype with element composition close to stoichiometric have been determined.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Belarus Belarus
1
Canada Canada
1
Czech Republic Czech Republic
1
France France
2
Germany Germany
4
Italy Italy
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Russia Russia
8
Ukraine Ukraine
11
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1
Unknown Country Unknown Country
13

Downloads

Belarus Belarus
1
China China
8
EU EU
1
Germany Germany
2
Russia Russia
10
Ukraine Ukraine
50
United States United States
2
Unknown Country Unknown Country
14

Files

File Size Format Downloads
Perekrestov.pdf 539,16 kB Adobe PDF 88

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.