Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41478
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Cost-effective Silicon Solar Cells Efficiency Increase by the Magnetic Field Treatment
Other Titles Застосування обробки в магнітному полі для низькозатратного підвищення ККД кремнієвих фотоелектричних перетворювачів
Применение обработки в магнитном поле для низкозатратного повышения КПД кремниевых фотоэлектрических преобразователей
Authors Zaitsev, R.V.
Keywords Single-crystal silicon solar cell
Magnetic field
Magnetic vinyl
Монокристалічний кремнієвий фотоелектричний перетворювач
Магнітне поле
Магнітний вініл
Монокристаллический кремниевый фотоэлектрический преобразователь
Магнитное поле
Магнитный винил
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/41478
Publisher Sumy State University
License
Citation R.V. Zaitsev, J. Nano- Electron. Phys. 7 No 2, 02024 (2015)
Abstract Експериментально встановлено, що ККД одноперехідних (ОП) монокристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (Si-ФЕП) із горизонтальною діодною n+-p-p+ структурою може зростати приблизно у 1,1 рази після їх обробки при кімнатній температурі на протязі 7 діб перпендикулярно орієнтованим стаціонарним магнітним полем (СМП) з індукцією 0,2 Тл. Це пояснюється зниженням числа рекомбінаційних центрів у базових кристалах ОП Si-ФЕП, на що вказує збільшення часу життя неосновних носіїв заряду у кремнії під впливом СМП. Показано можливість наступної стабілізації досягнутого позитивного ефекту за рахунок пристикування до ОП Si-ФЕП з боку тилового електроду тонкого шару магнітного вінілу, що створює у базовому кристалі магнітне поле з індукцією не більше 0,05 Тл.
Экспериментально установлено, что КПД однопереходных (ОП) монокристаллических кремние- вых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП) с горизонтальной диодной n+-p-p+ структурой мо- жет возрастать примерно в 1,1 раза после их обработки при комнатной температуре в течение 7 суток перпендикулярно ориентированным стационарным магнитным полем (СМП) с индукцией 0,2 Тл. Это объясняется снижением числа рекомбинационных центров в базовых кристаллах ОП Si-ФЭП, на что указывает увеличение времени жизни неосновных носителей заряда в кремнии под влиянием СМП. Показана возможность последующей стабилизации достигнутого положительного эффекта за счет пристыковки к ОП Si-ФЭП со стороны тыльного электрода тонкого слоя магнитного винила, создаю- щего в базовом кристалле магнитное поле с индукцией не более 0,05 Тл
It is experimentally established that efficiency of single-junction (SJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n+-p-p+ diode structure can increase approximately in 1.1 time after their processing at a room temperature during 7 days by perpendicularly oriented stationary magnetic field (SMF) with induction 0,2 T. It can be explained by the reduction of recombination centers quantity in SJ Si-SC base crystals, on what is indicates the increase of minority charge carriers lifetime in silicon under the influence of SMF. The possibility of the achieved positive effect subsequent stabilizing is shown due to attachment to SJ Si-SC from the side of back electrode the thin layer of magnetic vinyl, creating in base crystal magnetic field with induction no more than 0.05 T.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
Germany Germany
5
Greece Greece
2433
Italy Italy
2
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
2
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
7293
United Kingdom United Kingdom
1619
United States United States
609
Unknown Country Unknown Country
7
Vietnam Vietnam
2431

Downloads

China China
406
Germany Germany
2428
India India
1
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
3
Ukraine Ukraine
2429
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1619
Unknown Country Unknown Country
4
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Zaitsev.pdf 418,65 kB Adobe PDF 6894

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.