Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42892
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Fill Factor Losses in mc-Si Solar Cells
Other Titles Втрати фактору заповнення в сонячних елементах із мультикристалічного кремнію
Потери фактора заполнения в солнечных элементах с мультикристаллического кремния
Authors Prykhodko, A.V.
Keywords Solar cell
mc-Si
Fill factor losses
Parasitic ohmic resistance
Dark saturation current
Diode
Сонячний елемент
mc-Si
Втрати фактору заповнення
Паразитний омічний опір
Темновий струм насичення
Фактор ідеальності діоду
Солнечный элемент
mc-Si
Потери фактора заполнения
Паразитное омическое сопротивление
Темновой ток насыщения
Фактор идеальности диода
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42892
Publisher Sumy State University
License
Citation A.V. Prykhodko, J. Nano- Electron. Phys. 7 No 3, 03007 (2015)
Abstract Досліджено нефундаментальні втрати ефективності сонячних елементів із мультикристалічного кремнію. Вони значною мірою визначаються якістю діоду і паразитними омічними опорами, що приводять до зменшення коефіцієнту заповнення. Втрати фактору заповнення сонячних елементів із мультикристалічного кремнію були проаналізовані за допомогою випробувань промислової партії сонячних елементів в умовах випромінювання AM1.5. Спостережуване зменшення фактору заповнення при збільшені як струму насичення, так і фактору ідеальності діоду пояснюється їхньою експоненціальною залежністю, яка була встановлена експериментально. Додатково, було оцінено і обговорено втрати максимальної потужності сонячних елементів через омічні паразитні опори. Отримані результати можуть бути використані для підвищення ефективності сонячних елементів і, таким чином, знизити вартість сонячної електроенергії.
Исследованы нефундаментальные потери эффективности солнечных элементов с мультикристаллического кремния. Они в значительной мере определяются качеством диода и паразитными омическими сопротивлениями, приводящих к уменьшению коэффициента заполнения. Потери фактора заполнения солнечных элементов с мультикристаллического кремния были проанализированы с помощью испытаний промышленной партии солнечных элементов в условиях излучения AM1.5. Наблюдаемое уменьшение фактора заполнения при увеличении как тока насыщения, так и фактора идеальности диода объясняется их экспоненциальной зависимостью, которая была установлена экспериментально. Дополнительно, было оценено и обсуждены потери максимальной мощности солнечных элементов через омические паразитные опоры. Полученны результаты могут быть использованы для повышения эффективности солнечных элементов и, таким образом, снизить стоимость солнечной электроэнергии.
Non-fundamental losses in mc-Si solar cells have been studied. These efficiency losses significantly depend on diode quality and parasitic ohmic resistances that result in the fill factor losses. The fill factor losses in mc-Si solar cells were analyzed by testing of the industrial solar cell lot under AM1.5 conditions. The observed fill factor reduction due to both dark saturation current and diode ideality factor increasing is explained by their exponential relationship which has been found experimentally. Additionally, solar cell maximum power losses through the parasitic ohmic resistances have been estimated and discussed. The obtained results may be used to a solar cell efficiency enhancement and hence reduction in a solar electricity cost.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
Chile Chile
1
France France
3
Germany Germany
4
Italy Italy
2
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
419
Poland Poland
1
Russia Russia
1
Thailand Thailand
1
Ukraine Ukraine
183
United Kingdom United Kingdom
1674
United States United States
1673
Unknown Country Unknown Country
8

Downloads

China China
207
France France
1
Germany Germany
3972
Indonesia Indonesia
1
Russia Russia
1
Ukraine Ukraine
158
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
418
Unknown Country Unknown Country
6

Files

File Size Format Downloads
Prykhodko.pdf 321,36 kB Adobe PDF 4765

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.