Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію

Сичікова, Я.О.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42934

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію
Other Titles	Синтез эпитаксиальных слоев нитрида индия на подложке пористого фосфида индия Synthesis of Indium Nitride Epitaxial Layers on a Substrate of Porous Indium Phosphide
Authors	Сичікова, Я.О.
ORCID
Keywords	Нітрид індію Поруватий фосфід індію Буферний шар Епітаксія Електрохімічне травлення Період ґратки Нитрид индия Пористый фосфид индия Буферный слой Эпитаксия Электрохимическое травление Период решетки Indium nitride Porous indium phosphide Buffer layer epitaxy Electrochemical etching Lattice constant
Type	Article
Date of Issue	2015
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42934
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Я.О. Сичікова, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03017 (2015)
Abstract	У роботі представлено методику отримання плівки InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. В работе представлена методика получения пленки InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленок InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий травления. The paper presents a technique to obtain InN films on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. According to the results of the Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns depending on the etching conditions.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)