Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію

Сичікова, Я.О.

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42934

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Синтез епітаксіальних шарів нітриду індію на підкладці поруватого фосфіду індію
Інші назви	Синтез эпитаксиальных слоев нитрида индия на подложке пористого фосфида индия Synthesis of Indium Nitride Epitaxial Layers on a Substrate of Porous Indium Phosphide
Автори	Сичікова, Я.О.
ORCID
Ключові слова	Нітрид індію Поруватий фосфід індію Буферний шар Епітаксія Електрохімічне травлення Період ґратки Нитрид индия Пористый фосфид индия Буферный слой Эпитаксия Электрохимическое травление Период решетки Indium nitride Porous indium phosphide Buffer layer epitaxy Electrochemical etching Lattice constant
Вид документа	Стаття
Дати випуску	2015
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42934
Видавець	Сумський державний університет
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	Я.О. Сичікова, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03017 (2015)
Короткий огляд (реферат)	У роботі представлено методику отримання плівки InN на поруватих підкладках InP методом радикало-променевої гетеруючої епітаксії. За результатами оже-спектроскопії, товщина плівок InN склала від 100 нм до 0,5 мкм в залежності від технологічних умов травлення. В работе представлена методика получения пленки InN на пористых подложках InP методом радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии. По результатам оже-спектроскопии, толщина пленок InN составила от 100 нм до 0,5 мкм в зависимости от технологических условий травления. The paper presents a technique to obtain InN films on porous InP substrates by radical-beam gettering epitaxy. According to the results of the Auger spectroscopy, InN film thickness ranged from 100 nm to 0.5 microns depending on the etching conditions.
Розташовується у зібраннях:	Наукові видання (ЕлІТ)