Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42995
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Исследование внутренних механических напряжений, возникающих в структурах Si-SiO2-ЦТС
Other Titles Researches of the Internal Mechanical Stresses Arising in Si-SiO2-PZT Structures
Authors Коваленко, Д.А.
Петров, В.В.
Keywords Механические напряжения
Сегнетоэлектрические пленки
Кремневая подложка
Цирконат-титанат свинца
Механизм роста пленок
Mechanical stresses
Ferroelectric films
Silicon substrate
Zirconate titanate
Mechanisms of growth of films
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/42995
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Д.А. Коваленко, В.В. Петров, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03036 (2015)
Abstract В работе описываются исследования направленные на выявление механизмов роста сегнетоэлектрических тонких пленок цирконата-титаната свинца (ЦТС) на окисленных кремниевых подложках. Показано, что скорость роста сегнетоэлектрической пленки составляет порядка 15-18 нм/мин, а пленки формируются по механизму Странски-Крастанова. Приведены результаты теоретических исследований внутренних механических напряжений, возникающих в связи с разницей в коэффициентах термического расширения материалов кремниевой подложки, подслоя оксида кремния и пленки ЦТС. Представлены результаты экспериментальных исследований внутренних механических напряжений, показавшие их хорошее совпадение с результатами расчетов в диапазоне толщин пленок ЦТС 100-300 нм.
The investigations directed on identification of growth mechanisms of ferroelectric thin films of lead zirconate titanate (PZT) on the oxidized silicon substrates are described in the work. It is shown that the growth rate of a ferroelectric film is equal to about 15-18 nm/min, and films are formed by the Stransky-Krastanov mechanism. Results of the theoretical study of the internal mechanical stresses arising because of the difference in the coefficients of thermal expansion of materials of a silicon substrate, oxidized silicon underlayer and a PZT film are given. Results of the pilot studies of internal mechanical stresses which coincide with the calculated results in the thickness range of PZT films of 100-300 nm are presented.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
2667
China China
2
France France
1
Germany Germany
668
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1334
Portugal Portugal
1
Russia Russia
11
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Ukraine Ukraine
301
United Kingdom United Kingdom
7999
United States United States
335
Unknown Country Unknown Country
9

Downloads

China China
10
Germany Germany
2
Hungary Hungary
1
Netherlands Netherlands
1
Russia Russia
19
Ukraine Ukraine
268
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1
Unknown Country Unknown Country
7

Files

File Size Format Downloads
Kovalenko.pdf 683,33 kB Adobe PDF 310

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.