Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43017
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу
Other Titles О природе центров электролюминесценции в пластически деформированных кристаллах кремния p-типа
About the Nature of Electroluminescence Centers in Plastically Deformed Crystals of p-type Silicon
Authors Павлик, Б.В.
Кушлик, М.О.
Слободзян, Д.П.
Keywords Кремній р-типу
Дислокаційна електролюмінесценція
Рекомбінаційні центри
Пластична деформація
Високотемпературний відпал
Кремний р-типа
Дислокационная электролюминесценция
Рекомбинационные центры
Пластическая деформация
Высокотемпературный отжиг
p-type silicon
Dislocation electroluminescence
Recombination centers
Plastic deformation
High-temperature annealing
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43017
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 3, 03043 (2015)
Abstract У роботі описуються дослідження дислокаційної електролюмінесценції монокристалів кремнію p- типу з високою концентрацією дислокацій на поверхні (111). Приводяться впливи високотемпературного відпалу в атмосфері проточного кисню на спектри люмінесценції та ємнісно-модуляційні спектри зразків. З аналізу результатів встановлена природа центрів рекомбінації та їх перебудова при високотемпературному відпалі. Показано, що осадження плівки Al на підкладку p-Si приводить до формування деформаційного потенціалу і, як наслідок, локалізації у приповерхневому шарі дефектів з об’єму кристалу, що відповідають центрам свічення.
В работе описываются исследования дислокационной электролюминесценции монокристаллов кремния p-типа с высокой концентрацией дислокаций на поверхности (111). Приводятся влияния высокотемпературного отжига в атмосфере проточного кислорода на спектры люминесценции и емкостно-модуляционные спектры образцов. Из анализа результатов установлена природа центры рекомбинации и их перестройка при высокотемпературном отжиге. Показано, что осаждение пленки Al на подложку p-Si приводит к формированию деформационного потенциала и, как следствие, локализации в приповерхностном слое дефектов из объема кристалла, которые соответствуют центрам свечения.
The paper describes research of dislocation electroluminescence of single crystal p-type silicon with a high concentration of dislocations on the surface (111). It is shown the reaction of the luminescence spectra and capacitive-modulation spectra of samples after high-temperature annealing in an atmosphere of flowing oxygen. The analysis of the results lets us to establish the nature of recombination centers and their reorganization under high-temperature annealing. It is shown that deposition of Al film on the substrate p-Si leads to the formation of strain capacity and the localization of defects in the surface layer that corresponds to luminescence centers.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
China China
1
France France
1
Germany Germany
4
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
318
Poland Poland
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
140
United Kingdom United Kingdom
1269
United States United States
1903
Unknown Country Unknown Country
7

Downloads

China China
2
Croatia Croatia
1
Germany Germany
3647
Ukraine Ukraine
122
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
317
Unknown Country Unknown Country
7

Files

File Size Format Downloads
Pavlyk.pdf 544,85 kB Adobe PDF 4097

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.