Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43020
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Гидрогенизация кристаллизованных лазерным излучением пленок a-Si:H
Other Titles Hydrogenation of Laser-crystallized a-Si:H Films
Authors Хенкин, М.В.
Амасев, Д.В.
Казанский, А.Г.
Форш, П.А.
Keywords Аморфный гидрогенизированный кремний
Нанокристаллический гидрогенизированный кремний
Лазерная кристаллизация
Фемтосекундные лазерные импульсы
Концентрация водорода
Пост-гидрогенизация
Amorphous hydrogenated silicon
Nanocrystalline hydrogenated silicon
Laser crystallization
Hydrogen content
Post-hydrogenation
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43020
Publisher Сумский государственный университет
License
Citation М.В. Хенкин, Д.В. Амасев, А.Г. Казанский, П.А. Форш, Ж. нано- электрон. физ. 7 № 3, 03048 (2015)
Abstract В настоящий момент активно развивается область материаловедения, связанная со сверхбыстрой лазерной обработкой полупроводниковых материалов. В частности, фемтосекундная лазерная кристаллизация пленок гидрогенизированного аморфного кремния имеет большие перспективы для создания материалов, оптимальных для фотовольтаики. Однако процесс дегидрогенизации, сопутствующий лазерной обработке, существенно уменьшает фоточувствительность облученных пленок и, как следствие, ограничивает их применимость в оптоэлектронных приложениях. В данной работе были исследованы фотоэлектрические свойства пленок аморфного кремния, кристаллизованных фемтосекундными лазерными импульсами. Для восстановления содержания водорода в структуре материала были проведены две различные процедуры гидрогенизации: выдерживание пленок в плазме водорода и в атмосфере водорода высокого давления. Эффективность предложенных процедур для увеличения фоточувствительности материала обсуждается.
Ultrafast laser processing of semiconductors is a rapidly developing field of material science at the moment. In particular, femtosecond laser crystallization of amorphous hydrogenated silicon thin films has a big potential in photovoltaics. However laser treatment causes dehydrogenation process which decreases materials’ photosensitivity and thus limiting its application for optoelectronics. In present paper we studied photoelectric properties of laser-modified amorphous silicon films. Two different hydrogenation procedures were employed to restore films’ hydrogen content: keeping in hydrogen plasma and in high-pressure hydrogen atmosphere. The effectiveness of applied procedures for increasing materials’ photosensitivity is discussed.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
1
China China
1
France France
2
Germany Germany
4
Italy Italy
1
Netherlands Netherlands
529
Russia Russia
2
Serbia Serbia
1
Ukraine Ukraine
231
United Kingdom United Kingdom
2114
United States United States
3170
Unknown Country Unknown Country
17

Downloads

China China
9
Germany Germany
3170
Madagascar Madagascar
1
Netherlands Netherlands
1
Russia Russia
3
Ukraine Ukraine
199
United Arab Emirates United Arab Emirates
1
United Kingdom United Kingdom
2113
United States United States
3171
Unknown Country Unknown Country
8

Files

File Size Format Downloads
Khenkin.pdf 582,78 kB Adobe PDF 8676

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.