Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43120
Title: Influence of solution precursors on structure of ZnO films
Other Titles: Вплив вихідних прекурсорів на структуру плівок ZnO
Authors: Kurbatov, Denys Ihorovych 
Berestok, Taisiia Oleksandrivna
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych 
Opanasiuk, Nadiia Mykolaivna
Keywords: ZnO наностержні
ZnO наностержни
ZnO nanorods
хімічне осадження
химическое осаждение
chemical bath deposition
морфологія
морфология
morphology
структура
структура
structure
суб-структури
суб-структуры
sub-structure
Issue Year: 2015
Publisher: Institute for Single Cristals
Citation: Influence of solution precursors on structure of ZnO films [Текст] / T.O. Berestok, D.I. Kurbatov, N.M. Opanasyuk, A.S. Opanasyuk // Functional Materials. – 2015. - №1. – P. 93-99.
Abstract: In the work using high resolution scanning electron microscopy and X-ray analysis, we carry out the studying of the corelation between chemical and technological conditions of deposition, the initial solution composition and structural properties of the synthesized samples of zinc oxide.
С использованием сканирующей электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа проведено определение взаимосвязи между физико-технологическими условиями осаждения, составом исходного раствора и структурными свойствами синтезированных образцов оксида цинка. Рост слоев зависит от начальных прекурсоров в исходном растворе и происходит путем формирования упорядоченного массива нановолокон или наноцветов. Выбраны оптимальные условия для получения пленок оксида цинка с контролируемыми структурными свойствами, которые могут быть использованы в качестве базовых слоев в микроэлектронике.
З використанням скануючої електронної мікроскопії та рентгеноструктурного аналізу проведено визначення взаємозв’язку між фізико-технологічними умовами осадження, складом вихідного розчину та структурними властивостями синтезованих зразків оксиду цинку. Ріст шарів залежить від початкових прекурсорів у вихідному розчині і відбувається шляхом формування упорядкованого масиву нановолокон або наноквітів. Обрано оптимальні умови для отримання плівок оксиду цинку з контрольованими структурними властивостями, які можуть бути використані як базові шари у мікроелектроніці.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/43120
Type: Article
Appears in Collections:Наукові видання (ЕлІТ)

Views
Other36
Canada2
China2
Czech Republic1
Germany6
Finland1
France2
United Kingdom3
Italy2
Japan1
Poland2
Russia2
Singapore2
Turkey1
Ukraine12
United States1
Downloads
Other30
China7
Germany2
France1
United Kingdom1
Georgia1
Japan1
Poland3
Singapore1
Ukraine4
United States5


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Berestok_ZnO_nanorods.pdf1.59 MBAdobe PDF56Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.