Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44485
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Температурні зміни енергетичних характеристик поверхневого шару квантових точок InAs в матриці GaAs
Other Titles Температурные изменения энергетических характеристик поверхностного слоя квантовой точки InAs в матрице GaAs
The Temperature Changes of the Energy Characteristics of the Surface Layer of InAs Quantum Dots in GaAs Matrix
Authors Губа, С.К.
Юзевич, В.М.
Keywords Квантова точка
Самоорганізація
Енергетичні характеристики поверхневих шарів
Система GaAs / In / InAs
Квантовая точка
Самоорганизация
Энергетические характеристики поверхностных слоев
Quantities dots
Self-organization
Energy characteristics of surface layers
GaAs / In / InAs system
Type Article
Date of Issue 2015
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44485
Publisher Сумський державний університет
License
Citation С.К. Губа, В.М. Юзевич, Ж. нано- електрон. фіз. 7 № 4, 04065 (2015)
Abstract У роботі розвинута теоретична модель для розрахунку енергетичних характеристик поверхонь квантових точок (КТ) InAs в матриці GaAs при зміні температури їх самоорганізації. Описана теоретична модель дозволяє розраховувати поверхневі енергетичні та адгезійні парметри КТ InAs в матриці GaAs при зміні температури їх самоорганізації. Розраховані результати дають можливість досліджувати (аналізувати) характеристики міжфазних шарів на межах поділу КТ InAs / ЗШ In, ЗШ In / GaAs, КТ InAs / GaAs підкладка (ЗШ – змочуючий шар металу). Вони можуть бути використані для аналізу, тобто визначення загальних закономірностей зміни енергетичних параметрів КТ InAs в матриці GaAs(100). Крім того вони корисні при моделюванні зміни енергетичних характеристик поверхневих шарів, які характеризують механізми взаємодії і релаксації пружних напружень та поверхневих енергій системи GaAs / In / InAs.
В работе развита теоретическая модель для расчета энергетических характеристик поверхностей квантовых точек (КТ) InAs в матрице GaAs при изменении температуры их самоорганизации. Изложенная теоретическая модель позволяет рассчитывать межфазные энергетические и адгезионные параметры КТ InAs в матрице GaAs при изменении температуры их самоорганизации. Рассчитанные результаты дают возможность исследовать (анализировать) характеристики межфазных слоев на границе раздела КТ InAs / СС In, СС In / GaAs, КТ InAs / GaAs подложка (СС – смачивающий слой металла). Они могут быть использованы для анализа – определения общих закономерностей изменений энергетических параметров КТ InAs в матрице GaAs(100). Кроме того они полезны при моделировании изменений энергетических характеристик поверхностных слоев, которые характеризуют механизмы взаимосвязей между релаксацией упругих напряжений и поверхностной энергией системы GaAs / In / InAs.
The work developed a theoretical model for calculating the surface energy characteristics of quantum dots (QD) InAs in the GaAs matrix when the temperature of self-organization. The stated theoretical model allows the calculation of interfacial energy and adhesion parameters InAs QDs in GaAs matrix when the temperature of self-organization. The calculated results provide an opportunity to explore (analyze) the characteristics of interfacial layers at the QD InAs / WL In, WL In / GaAs, QD InAs / GaAs substrate (WL – wetting layer of metal). They can be used for analysis - identifying common patterns of change in the energy parameters of QD InAs in a matrix GaAs (100). In addition, they are useful for modeling changes in the energy characteristics of the surface layers, which characterize the relationship between the mechanisms of relaxation of elastic stresses and the surface energy of GaAs / In / InAs system.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
France France
1
Germany Germany
23
Japan Japan
2
Kazakhstan Kazakhstan
1
Lithuania Lithuania
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
474
United Kingdom United Kingdom
2051
United States United States
514
Unknown Country Unknown Country
8

Downloads

China China
512
France France
2
Germany Germany
3076
Japan Japan
1
Ukraine Ukraine
402
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1
Unknown Country Unknown Country
5

Files

File Size Format Downloads
Guba_Quantities_dots.pdf 395,09 kB Adobe PDF 4000

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.