Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45496
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Електропровідність дрібнокристалічного графіту при дії гідростатичного тиску
Other Titles Электропроводимость мелкокристаллического графита при воздействии гидростатического давления
Electrical Conductivity of Fine Crystalline Graphite under the Influence of the Hydrostatic Pressure
Authors Овсієнко, І.В.
Мацуй, Л.Ю.
Прокопов, О.І.
Журавков, О.В.
Keywords Дрібнокристалічний піролітичний графіт
Механічні навантаження
Електропровідність
Енергія Фермі
Мелкокристаллический пиролитический графит
Механические нагрузки
Электропроводность
Энергия Ферми
Fine crystalline pyrolytic graphite
Mechanical load
Electrical conductivity
Fermi energy
Type Article
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45496
Publisher Сумський державний університет
License
Citation І.В. Овсієнко, Л.Ю. Мацуй, О.І. Прокопов, О.В. Журавков, Ж. нано- електрон. фіз. 8 № 2, 02017 (2016)
Abstract Досліджено вплив гідростатичного тиску на електропровідність дрібнокристалічного графіту в інтервалі температур (77-293) К. Показано, що зменшення питомого електроопору в зразках дрібнокристалічного анізотропного графіту при дії гідростатичного тиску пов’язано з збільшенням перекриття між валентною зоною та зоною провідності, що приводить до зростання концентрації вільних носіїв заряду. Оцінена зміна перекриття валентної зони і зони провідності. Встановлено, що зменшення відстані між шарами графіту при дії тиску є процесом незворотнім: при знятті навантаження електроопір дещо зростає, але не набуває початкового значення.
Исследовано влияние гидростатического давления на электропроводность мелкокристаллического графита в интервале температур (77-293) K. Показано, что уменьшение удельного электросопротивления в образцах мелкокристаллического графита при воздействии гидростатического давления связано с увеличением перекрытия между валентной зоной и зоной проводимости, что приводит к росту концентрации свободных носителей заряда. Оценено изменение перекрытия валентной зоны и зоны проводимости. Установлено, что уменьшение расстояния между слоями графита под давлением является процессом необратимым: при снятии нагрузки электросопротивление несколько возрастает, но не достигает первоначального значения.
It was investigated the influence of hydrostatic pressure on the electrical conductivity of crystalline graphite in temperature range (77-293) K. It was revealed that the reducing of electrical resistivity in specimens of fine crystalline graphite under the action of hydrostatic pressure is due to increasing of overlap between valence and conduction bands that leads to increase of the concentration of free charge carriers. The change of the overlap of valence and conduction bands was estimated. It is shown the decrease of the distance between the graphite layers under pressure is irreversible process, when load is remove the electric resistance increases slightly, but does not acquire the initial value.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
2
France France
2
Germany Germany
3
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Mexico Mexico
1
Netherlands Netherlands
600
Ukraine Ukraine
267
United Kingdom United Kingdom
1200
United States United States
302
Unknown Country Unknown Country
18
Venezuela Venezuela
1

Downloads

China China
3
EU EU
1
France France
1
Georgia Georgia
1
Germany Germany
2399
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
234
United Arab Emirates United Arab Emirates
1
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
301
Unknown Country Unknown Country
15

Files

File Size Format Downloads
Ovsiienko_Matsui_Prokopov_Zhuravkov.pdf 417,68 kB Adobe PDF 2958

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.