Влияние условий закалки на кинетику формирования доменной структуры сегнетиэлектриков при фазовых переходах первого рода

Мазур, О.Ю.; Стефанович, Л.И.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45769

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Влияние условий закалки на кинетику формирования доменной структуры сегнетиэлектриков при фазовых переходах первого рода
Authors	Мазур, О.Ю. Стефанович, Л.И.
ORCID
Keywords	кристали кристаллы crystals кінетика кинетика kinetics
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45769
Publisher	Сумский государственный университет
License	Copyright not evaluated
Citation	Мазур, О.Ю. Влияние условий закалки на кинетику формирования доменной структуры сегнетиэлектриков при фазовых переходах первого рода [Текст] / О.Ю. Мазур, Л.И. Стефанович // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 37.
Abstract	Известно, что при быстром охлаждении сегнетоэлектрических кристаллов формируется доменная структура. Термодинамика этого процесса изучена достаточно детально, а кинетика релаксации образца из неравновесного состояния к равновесному остается до конца невыясненной. Данная работа посвящена исследованию влияния начальных условий на кинетику упорядочения сегнетоэлектриков типа порядок-беспорядок при фазовом переходе первого рода.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)