Особливості вирощування напівпровідникових шарів імпульсними методами рідиннофазної епітаксії

Цибуленко, В.В.; Шутов, С.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45794

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Особливості вирощування напівпровідникових шарів імпульсними методами рідиннофазної епітаксії
Authors	Цибуленко, В.В. Шутов, С.В.
ORCID
Keywords	напівпровідникові шари полупроводниковые слои semiconductor layers епітаксія эпитаксия epitaxy
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45794
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Цибуленко, В.В. Особливості вирощування напівпровідникових шарів імпульсними методами рідиннофазної епітаксії [Текст] / В.В. Цибуленко, С.В. Шутов // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 92.
Abstract	Вирощування напівпровідникових епітаксійних шарів імпульсними методами з рідинної фази має свої особливості. Справа в тому, що через малі розміри контейнерів і самого розчину-розплаву, а також , в деяких методах, через короткочасність контакту розчину-розплаву з робочою підкладкою, теплові процеси відбуваються набагато швидше за дифузійні процеси в розчині-розплаві. Метою роботи є дослідження фазової рівноваги при використанні імпульсних методів вирощування напівпровідникових епітаксійних шарів з рідинної фази.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)