Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45870
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe
Authors Кушнір, Б.В.
Keywords гетероструктури
гетероструктуры
heterostructures
шаруваті кристали
слоистые кристаллы
layered crystals
Type Conference Papers
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45870
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Кушнір, Б.В. Фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe - n-InSe [Текст] / Б.В. Кушнір // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 143.
Abstract Шаруваті кристали групи А[3]В[6], до яких належать селенід індію та теллурид галію, є перспективними матеріалами для створення гетеропереходів на їх основі. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної решітки дозволяють методом ван-дер-ваальсового контакту їх поверхонь створювати якісні гетероструктури.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Canada Canada
2
China China
3445
Egypt Egypt
1
France France
2
Germany Germany
3
Indonesia Indonesia
1
Italy Italy
2
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
575
Ukraine Ukraine
259
United Kingdom United Kingdom
2297
United States United States
288
Unknown Country Unknown Country
13

Downloads

Botswana Botswana
1
China China
2
Germany Germany
3
Indonesia Indonesia
1
Russia Russia
1
Saudi Arabia Saudi Arabia
1
Ukraine Ukraine
230
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
260
Unknown Country Unknown Country
3

Files

File Size Format Downloads
Kushnir_layered_crystals.pdf 466,03 kB Adobe PDF 503

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.