Определение температуры перегрева силовых SiC-диодов Шоттки

Деменский, А.Н.; Ерохин, С.Ю.; Краснов, В.А.; Шутов, С.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45991

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Определение температуры перегрева силовых SiC-диодов Шоттки
Authors	Деменский, А.Н. Ерохин, С.Ю. Краснов, В.А. Шутов, С.В.
ORCID
Keywords	кристали кристаллы crystals діоди диоды diodes
Type	Conference Papers
Date of Issue	2016
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/45991
Publisher	Сумский государственный университет
License	Copyright not evaluated
Citation	Определение температуры перегрева силовых SiC-диодов Шоттки [Текст] / А.Н. Деменский, С.Ю. Ерохин, В.А. Краснов, С.В. Шутов // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 18-22 квітня 2016 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. - Суми: СумДУ, 2016. - С. 159.
Abstract	От температуры кристалла во время работы зависят эксплуатационные параметры и характеристики надежности полупроводниковых диодов. Поэтому разработка способов, позволяющих достаточно точно определять температуру кристалла с целью выбора наиболее оптимальных режимов эксплуатации полупроводниковых приборов является актуальной задачей. Более предпочтительными являются неразрущающие способы измерения, поскольку они не требуют осуществления раскорпусировки приборов.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)