Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47438
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In[4]Se[3]
Other Titles The Photoelectric Properties of Intrinsic Oxide - p-In[4]Se[3] Heterojunctions
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов собственный оксид - p-In[4]Se[3]
Authors Катеринчук, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кушнір, Б.В.
Литвин, О.С.
ORCID
Keywords селенід індію
селенид индия
indium selenide
шаруваті кристали
слоистые кристаллы
layered crystals
гетеропереходи
гетеропереходы
heterojunctions
спектральні характеристики
спектральные характеристики
spectral characteristics
вольт-амперні характеристики
вольт-амперные характеристики
current-voltage characteristics
Type Article
Date of Issue 2016
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47438
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In[4]Se[3] [Текст] / В.М. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Б.В. Кушнір, О.С. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т.8, №3. - 03032
Abstract Методом термічного окислення напівпровідникової підкладки створений новий гетероперехід власний оксид p-In[4]Se[3. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудована його якісна зонна діаграма. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар’єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Представлені також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу.
Методом термического окисления полупроводниковой подложки создан новый гетеропереход собственный оксид – p-In[4]Se[3. На основе анализа электрических и фотоэлектрических характеристик гетероперехода построена его качественная зонная диаграмма. Особенностью данного гетероперехода является механизм протекания тока через барьер, который определяется не диффузией носителей, атермоэлектронной эмиссией. Представлены также АСМ-изображения поверхности оксидного слоя и спектр фоточувствительности исследуемого гетероперехода.
The intrinsic oxide p-In[4]Se[3] heterojunction was fabricated by the method of thermal oxidation of semiconductor substrate for the first time. The qualitative energy band diagram was built on the basis of analysis of electrical and photovoltaic characteristics of the heterojunction. The character of dominating current transport mechanisms through the barrier is determined by thermionic emission, rather than carrier diffusion. The AFM-images of oxide layer surface and the photosensitivity spectrum of intrinsic oxide p-In[4]Se[3] heterojunctions also were presented.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Canada Canada
1
China China
1
France France
1
Germany Germany
3
Ghana Ghana
1
Greece Greece
2789
Ireland Ireland
25404
Italy Italy
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
1777919
United Kingdom United Kingdom
914365
United States United States
14338098
Unknown Country Unknown Country
17

Downloads

China China
1
Germany Germany
556795
Indonesia Indonesia
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Thailand Thailand
1
Ukraine Ukraine
11617595
United Kingdom United Kingdom
914368
United States United States
11617594
Unknown Country Unknown Country
1

Files

File Size Format Downloads
Katerynchuk _ Indium_selenide.pdf 490.78 kB Adobe PDF 24706358

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.