Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47438
Title: Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In[4]Se[3]
Other Titles: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов собственный оксид - p-In[4]Se[3]
The Photoelectric Properties of Intrinsic Oxide - p-In[4]Se[3] Heterojunctions
Authors: Катеринчук, В.М.
Ковалюк, З.Д.
Кушнір, Б.В.
Литвин, О.С.
Keywords: селенід індію
селенид индия
indium selenide
шаруваті кристали
слоистые кристаллы
layered crystals
гетеропереходи
гетеропереходы
heterojunctions
спектральні характеристики
спектральные характеристики
spectral characteristics
вольт-амперні характеристики
вольт-амперные характеристики
current-voltage characteristics
Issue Year: 2016
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Фотоелектричні властивості гетеропереходів власний оксид - p-In[4]Se[3] [Текст] / В.М. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Б.В. Кушнір, О.С. Литвин // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т.8, №3. - 03032
Abstract: Методом термічного окислення напівпровідникової підкладки створений новий гетероперехід власний оксид p-In[4]Se[3. На основі аналізу електричних і фотоелектричних характеристик гетеропереходу побудована його якісна зонна діаграма. Особливістю даного гетеропереходу є механізм протікання струму через бар’єр, який визначається не дифузією носіїв, а термоелектронною емісією. Представлені також АСМ-зображення поверхні оксидного шару та спектр фоточутливості досліджуваного гетеропереходу.
Методом термического окисления полупроводниковой подложки создан новый гетеропереход собственный оксид – p-In[4]Se[3. На основе анализа электрических и фотоэлектрических характеристик гетероперехода построена его качественная зонная диаграмма. Особенностью данного гетероперехода является механизм протекания тока через барьер, который определяется не диффузией носителей, атермоэлектронной эмиссией. Представлены также АСМ-изображения поверхности оксидного слоя и спектр фоточувствительности исследуемого гетероперехода.
The intrinsic oxide p-In[4]Se[3] heterojunction was fabricated by the method of thermal oxidation of semiconductor substrate for the first time. The qualitative energy band diagram was built on the basis of analysis of electrical and photovoltaic characteristics of the heterojunction. The character of dominating current transport mechanisms through the barrier is determined by thermionic emission, rather than carrier diffusion. The AFM-images of oxide layer surface and the photosensitivity spectrum of intrinsic oxide p-In[4]Se[3] heterojunctions also were presented.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47438
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other13
Canada1
China1
Germany3
France1
United Kingdom1
Ghana1
Italy1
Ukraine5
United States3
Downloads
Other1
China1
Germany3
Russia1
Thailand1
United States2


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Katerynchuk _ Indium_selenide.pdf490.78 kBAdobe PDF9Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.