Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47510
Title: Формування приладових наноструктур спін-клапанного типу на основі Со і Сu
Other Titles: Формирование приборных структур спин-клапанного типа на основе Со и Сu
Formation of Device Structures Spin-valve Type Based on Co and Cu
Authors: Cheshko, Iryna Volodymyrivna 
Kostenko, Maksym Volodymyrovych
Lohvynov, Andrii Mykolaiovych
Protsenko, Serhii Ivanovych
Гребинаха, В.І.
Keywords: спін-клапан
спин-клапан
spin-valve
магнітоопір
магнитосопротивление
magnetoresistance
тонка плівка
тонкая пленка
coercive force
коерцитивна сила
коэрцитивная сила
vagnetization
твердий розчин
твердый раствор
solid solution
Issue Year: 2016
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Modeling of Magnetic Field Influence on Electrophysical Effects in Magnetoimpedance Microwires [Текст] / R.I. Shakirzyanov, V.A. Astakhov, A.T. Morchenko, P.A. Ryapolov // Журнал нано- та електронної фізики. - 2016. - Т.8, №3. - 03040
Abstract: У роботі наведені результати дослідження структурно-фазового стану та магніторезистивних властивостей плівкових наносистем спін-клапанного типу на основі Со і Сu. Встановлено, що в процесі одержання та термічного відпалювання до температур Т[в]  700 і 900 К в цих системах відбувається утворення твердого розчину атомів Со в матриці Сu. Було показано, що плівкову систему спінклапанного типу Со(5)/Cu(х)/Со(20)/П доцільно модифікувати, використовуючи замість одного з магнітних шарів Со мультишар [Co/Cu]n. Данна модифікація призводить до підвищення величини магнітоопору до 0,3 ÷ 0,5 %, швидкості перемикання з одного магнітного стану в інший та температурної стабільності всієї наносистеми до температури 700 К, хоча зменшує магнітну чутливість до значень S[B] = (0,1 ÷ 0,2) * 10 – 2 % / (мТл).
В работе приведены результаты исследования структурно-фазового состояния и магниторезистивных свойств пленочных наносистем спин-клапанного типа на основе Со и Сu. Установлено, что в процессе получения и термического отжига до температур ТВ  700 и 900 К в этих системах происходит образование твердого раствора атомов Со в матрице Сu. Было показано, что пленочную систему спин- клапанного типа Со(5)/Cu(х)/Со(20)/П целесообразно модифицировать используя вместо одного из магнитных слоев Со мультислой [Co/Cu]n. Данная модификация приводит к повышению значения магнитосопротивления до 0,3 ÷ 0,5 %, скорости переключения с одного магнитного состояния в другое и температурной стабильности всей наносистемы до температуры 700 К, хотя уменьшает магнитную чувствительность до значений S[B] = (0,1 ÷ 0,2) = 10 – 2 % / мТл.
The study results of structural-phase state and magnetoresistive properties of spin-valve type nanofilm based on Co and Cu are shown in this work. It is found that in these systems during the preparation and annealing at temperatures Tann  700 and 900 K solid solutions of Co atoms in Cu matrix are formed. Was shown that the spin-valve type film system Co (5)/Cu(x)/Co(20)/S expedient modified using multilayers [Co/Cu]n instead one of the magnetic Co layer. This modification increases the magnetoresistance values up to 0,3 ÷ 0,5 %, increases the switching speed from one magnetic state to another and thermal stability of nanosystems to temperature 700 K. Although magnetic sensitivity decreases to a value S[B] = (0,1 ÷ 0,2) = 10 – 2 % / mT.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/47510
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other14
Canada1
China1
Germany3
France2
United Kingdom1
Italy1
Romania1
Ukraine18
United States5
Downloads
Other7
China1
Germany3
Malaysia1
Russia1
Ukraine15
United States1


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Cheshko _ spin-valve.pdf609.75 kBAdobe PDF29Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.