Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/52335
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадмієм на їх електрофізичні властивості
Other Titles Влияние условий роста кристаллов теллурида кадмия из сверхстехиометрическим кадмием на их электрофизические свойства
Effect of the Growth Conditions of Cadmium Telluride Crystals with Overstoichiometric Cadmium on their Electro-Physical Properties
Authors Фочук, П.М.
Никонюк, Є.С.
Захарук, З.І.
Раренко, Г.І.
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych  
Ковалець, М.О.
ORCID http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords телурид кадмію
теллурид кадмия
cadmium telluride
стехіометрія
стехиометрия
stoichiometry
відпал
отжиг
annealing
електрофізичні властивості
электрофизические свойства
electrophysical properties
включення іншої фази
включение другой фазы
inclusion of a phase
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/52335
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Вплив умов росту кристалів телуриду кадмію з надстехіометричним кадміємна їх електрофізичні властивості [Текст] / П.М. Фочук, Є.С. Никонюк, З.І. Захарук [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 1. - 01007. - DOI: 10.21272/jnep.9(1).01007.
Abstract Показано, що електрофізичні характеристики кристалів телуриду кадмія з надстехіометричним кадмієм, вирощених методом Бріджмена, визначаються передростовою температурою розплаву. У випадку невеликого перегріву розплаву (ΔТ ≤ 15 К) були одержані кристали р-типу з широким діапазоном електричних параметрів: концентрацією дірок р = (1010÷1016) см – 3 і рухливістю μр = (10÷70) см2/(В∙с) при 300 К. Якщо ж розплав був попередньо значно перегрітим (ΔТ ≈ 40÷65 К), то були вирощені однорідні кристали n-типу, в яких n = (1014 ÷1015) см – 3, μn = (500÷1110) см2/(В∙с) при 300 К. Кристали n-типу зберігали стабільність при нагріванні до 720 К, в цей же час в кристалах р-типу при нагріванні до Т > 370 К спостерігалися релаксаційні процеси гістерезисного типу.
Показано, что электрофизические характеристики кристаллов теллурида кадмия с надстехиометрическим кадмием, выращенных методом Бриджмена, определяются предростовой температурой расплава. В случае небольшого перегрева расплава (ΔТ ≤ 15 К) были получены кристаллы р-типа с широким диапазоном электрических параметров: концентрацией дырок р = (1010 ÷ 1016) см – 3 и подвижностью μр = (10 ÷ 70) см2/(В∙с) при 300 К. Если же расплав был предварительно значительно перегретым (ΔТ ≈ 40 ÷ 65 К), то были выращены однородные кристаллы n-типа, в которых n = (1014 ÷ 1015) см – 3, μn = (500 ÷ 1110) см2/(В∙с) при 300 К. Кристаллы n-типа сохраняли стабильность при нагревании до 720 К, в это же время в кристаллах р-типа при нагревании до Т > 370 К наблюдались релаксационные процессы гистерезисного типа.
It has been shown that the electro-physical characteristics of cadmium telluride crystals with overstoichiometric cadmium, grown by Bridgman, are determined by melt pre-growth temperature. In the case of small melt overheat (ΔT ≤ 15 K) there were obtained the p-type crystals with a wide range of electrical parameters: the concentration of holes р = (1010 ÷ 1016) cm – 3 and mobility μр = (10 ÷ 70) cm2/(V∙s) at 300 K. If the melt was pre-overheated greatly (ΔT ≈ 40 ÷ 65 К), the homogeneous n-type crystals were grown, for which n = (1014 ÷ 1015) cm – 3 and μn = (500 ÷ 1110) сm2/(V∙s) at 300 K. The n-type crystals heated to 720 K were stable, at the same time, in the p-type crystals under heating to Т > 370 K there were observed the relaxation processes of hysteresis type.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Bangladesh Bangladesh
1
China China
519872156
France France
1
Germany Germany
37490055
Greece Greece
24486
Ireland Ireland
-1551490008
Italy Italy
1
Japan Japan
1809163715
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
-1933840458
United Kingdom United Kingdom
74317238
United States United States
-1551490006
Unknown Country Unknown Country
-1933840460

Downloads

China China
522749394
Finland Finland
1
Germany Germany
1777361
India India
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Russia Russia
1
Slovenia Slovenia
1
Ukraine Ukraine
522749395
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
-1551490005
Unknown Country Unknown Country
27

Files

File Size Format Downloads
Opanasiuk.pdf 380.03 kB Adobe PDF -504213821

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.