Формирование внутренних дефектов в p-n структурах SiC для перспективных источников одиночных фотонов

Краснов, В.А.; Ерохин, С.Ю.; Деменский, А.Н.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64503

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Формирование внутренних дефектов в p-n структурах SiC для перспективных источников одиночных фотонов
Authors	Краснов, В.А. Ерохин, С.Ю. Деменский, А.Н.
ORCID
Keywords	одиночный фотон одиночний фотон single photon излучательная рекомбинация випромінювальна рекомбінація radiative recombination технологический метод технологічний метод technological method
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64503
Publisher	Сумский государственный университет
License
Citation	Формирование внутренних дефектов в p-n структурах SiC для перспективных источников одиночных фотонов [Текст] / В.А. Краснов, С.Ю. Ерохин, А.Н. Деменский, С.В. Шутов // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 105.
Abstract	Для современных оптических технологий требуются источники одиночных фотонов, работающие при комнатной температуре. Поэтому очень важным является направление исследований, связанное с изучением излучательной рекомбинации через внутризонные состояния в p-n структурах SiC. В частности, формирование точечных дефектов типа VSi позволяет реализовать состояние доминирования прямых оптических переходов в процессах рекомбинации носителей заряда через энергетические уровни дефектов.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)