Механізми перенесення заряду в опромінених електронами кристалах n-InSe

Ковалюк, З.Д.; Маслюк, В.Т.; Мегела, І.Г.; Мінтянський, І.В.; Савицький, П.І.

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64701

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Механізми перенесення заряду в опромінених електронами кристалах n-InSe
Автори	Ковалюк, З.Д. Маслюк, В.Т. Мегела, І.Г. Мінтянський, І.В. Савицький, П.І.
ORCID
Ключові слова	монокристал монокристалл single crystal опромінення облучение irradiation високоенергетичний електрон высокоэнергетический электрон high-energy electron
Вид документа	Тези доповідей
Дати випуску	2017
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64701
Видавець	Сумський державний університет
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	Механізми перенесення заряду в опромінених електронами кристалах n-InSe [Текст] / З.Д. Ковалюк, В.Т. Маслюк, І.Г. Мегела [та ін.] // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 115.
Короткий огляд (реферат)	Слабкий міжшаровий зв'язок визначає не лише анізотропію фізичних властивостей шаруватих монокристалів InSe. Як наслідок, сполука може витримувати вищі дози радіаційного опромінення, ніж традиційні матеріали електроніки. В той же час для селеніду індію відсутня інформація щодо впливу опромінення на механізми перенесення заряду в різних кристалографічних напрямках. Зокрема, це стосується й високоенергетичних електронів, що є предметом аналізу даного повідомлення. Основною відмінністю опромінених зразків є немонотонна залежність рухливості.
Розташовується у зібраннях:	Наукові видання (ЕлІТ)