Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів FeIn[2]Se[4] та In[4]Se[3]

Кушнір, Б.В.; Ткачук, І.Г.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64729

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів FeIn[2]Se[4] та In[4]Se[3]
Authors	Кушнір, Б.В. Ткачук, І.Г.
ORCID
Keywords	гетероперехід гетеропереход heterojunction спектральна фоточутливість спектральная светочувствительность spectral photosensitivity фронтальний напівпровідник фронтальный полупроводник frontal semiconductor
Type	Conference Papers
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64729
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Кушнір, Б.В. Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів FeIn[2]Se[4] та In[4]Se[3] [Текст] / Б.В. Кушнір, І.Г. Ткачук // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 114.
Abstract	Шаруваті кристали FeIn2Se4 і In4Se3 – перспективні матеріали для створення фоточутливих гетеропереходів на їх основі , які можуть бути як n-, так і p- типу провідності. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної градки дозволяють методом Ван-дерваальсового контакту поверхонь створювати якісні гетеропереходи. Методом механічного контакту був сформований новий гетероперехід p-FeIn2Se4 – n-In4Se3. Монокристали In4Se3 вирощувалися методом Чохральського і володіли яскраво вираженою шаруватою структурою. В якості фронтального напівпровідника гетеропереходу були обрані кристали FeIn2Se4, вирощені методом Бріджмена.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)