Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64729
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів FeIn[2]Se[4] та In[4]Se[3]
Authors Кушнір, Б.В.
Ткачук, І.Г.
Keywords гетероперехід
гетеропереход
heterojunction
спектральна фоточутливість
спектральная светочувствительность
spectral photosensitivity
фронтальний напівпровідник
фронтальный полупроводник
frontal semiconductor
Type Conference Papers
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/64729
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Кушнір, Б.В. Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів FeIn[2]Se[4] та In[4]Se[3] [Текст] / Б.В. Кушнір, І.Г. Ткачук // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 17-21 квітня 2017 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми : СумДУ, 2017. – С. 114.
Abstract Шаруваті кристали FeIn2Se4 і In4Se3 – перспективні матеріали для створення фоточутливих гетеропереходів на їх основі , які можуть бути як n-, так і p- типу провідності. Ці матеріали з різною симетрією і періодами кристалічної градки дозволяють методом Ван-дерваальсового контакту поверхонь створювати якісні гетеропереходи. Методом механічного контакту був сформований новий гетероперехід p-FeIn2Se4 – n-In4Se3. Монокристали In4Se3 вирощувалися методом Чохральського і володіли яскраво вираженою шаруватою структурою. В якості фронтального напівпровідника гетеропереходу були обрані кристали FeIn2Se4, вирощені методом Бріджмена.
Appears in Collections: Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Germany Germany
12
Ukraine Ukraine
49
Unknown Country Unknown Country
10

Downloads

China China
2
Germany Germany
1
Ukraine Ukraine
50
Unknown Country Unknown Country
3

Files

File Size Format Downloads
Kushnir_heteroperekhody.pdf 444,4 kB Adobe PDF 56

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.