Сульфідна пасивація поверхні поруватого фосфіду індію

Abstract

У роботі описується вплив хімічної обробки поверхні поруватого фосфіду індію в розчинах сульфідів на спектр фотолюмінесценції. Показано, що сульфідування призводить поверхню зразків до стану інертності по відношенню до кисню. Встановлено, що під час халькогенідної пасивації por-InP відбувається видалення шару окислу, замість нього формується тонка кристалічна плівка хімічно інертного матеріалу.

The paper describes the effect of the chemical treatment of porous indium phosphide in sulfide solutions on the photoluminescence spectrum. It was shown that the surface sulfiding samples leads to a state of inertia with respect to oxygen. It is found that the thin crystal film is formed of a chemically inert material during chalcogenide passivation por-InP removes oxide layer instead.

В работе описывается влияние химической обработки пористого фосфида индия в растворах сульфидов на спектр фотолюминесценции. Показано, что сульфидирование приводит поверхность образцов к состоянию инертности по отношению к кислороду. Установлено, что во время халькогенидной пассивации por-InP происходит удаление слоя окисла, вместо него формируется тонкая кристаллическая пленка химически инертного материала.