Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65757
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire
Other Titles Кинетические эффекты, обусловленные флуктуациями толщины квантовой полупроводниковой проволоки
Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту
Authors Ruvinskii, M.A.
Ruvinskii, B.M.
Kostyuk, O.B.
ORCID
Keywords semiconductor quantum wire
квантовий напівпровідниковий дріт
квантовая полупроводниковая проволока
gaussian fluctuations of thickness
гауссові флуктуації товщини
гауссовские флуктуации толщины
electrical conductivity
електропровідність
электропроводность
thermopower
термоЕРС
термоЭДС
thermal conductivity
теплопровідність
теплопроводность
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65757
Publisher Sumy State University
License
Citation Ruvinskii, M.A. The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire [Текст] / M.A. Ruvinskii, B.M. Ruvinskii, O.B. Kostyuk // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 2. - 02024. - DOI: 10.21272/jnep.9(2).02024.
Abstract The electrical conductivity, thermopower and thermal conductivity of semiconductor quantum wire conditioned by a random field of Gaussian fluctuations of wire thickness are theoretically determined. We present the results for cases nondegenerate and generate statistics of carriers. The considered mechanism of relaxation of the carriers is essential for sufficiently thin and clean wire from the А3В5 and А4В6 type of semiconductors at low temperatures. The quantum size effects that are typical of quasi-one-dimensional systems were revealed.
Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідни- кового дроту внаслідок гаусівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків не- виродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких тем- пературах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.
Теоретически определены электропроводность, термоэдс и теплопроводность квантовой полупро- водниковой проволоки вследствие гауссовських флуктуаций толщины проволоки. Результаты приве- дены для случаев невырожденной и вырожденной статистики носителей заряда. Рассмотрен меха- низм релаксации носителей заряда является существенным для достаточно тонкого и чистого прово- локи из полупроводников типа А3В5 и А4В6 при низких температурах. Определены квантово- размерные эффекты, характерные для квазиодномерных систем.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Germany Germany
1
Ireland Ireland
663
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
Romania Romania
1
Singapore Singapore
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
59558
United Kingdom United Kingdom
2271
United States United States
47911
Unknown Country Unknown Country
4353

Downloads

China China
2
Germany Germany
1
Indonesia Indonesia
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
12970
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
59558
Unknown Country Unknown Country
3

Files

File Size Format Downloads
jnep_V9_02024_4.pdf 354.77 kB Adobe PDF 72537

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.