The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire

Ruvinskii, M.A.; Ruvinskii, B.M.; Kostyuk, O.B.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65757

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire
Other Titles	Кинетические эффекты, обусловленные флуктуациями толщины квантовой полупроводниковой проволоки Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту
Authors	Ruvinskii, M.A. Ruvinskii, B.M. Kostyuk, O.B.
ORCID
Keywords	semiconductor quantum wire квантовий напівпровідниковий дріт квантовая полупроводниковая проволока gaussian fluctuations of thickness гауссові флуктуації товщини гауссовские флуктуации толщины electrical conductivity електропровідність электропроводность thermopower термоЕРС термоЭДС thermal conductivity теплопровідність теплопроводность
Type	Article
Date of Issue	2017
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65757
Publisher	Sumy State University
License
Citation	Ruvinskii, M.A. The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire [Текст] / M.A. Ruvinskii, B.M. Ruvinskii, O.B. Kostyuk // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 2. - 02024. - DOI: 10.21272/jnep.9(2).02024.
Abstract	The electrical conductivity, thermopower and thermal conductivity of semiconductor quantum wire conditioned by a random field of Gaussian fluctuations of wire thickness are theoretically determined. We present the results for cases nondegenerate and generate statistics of carriers. The considered mechanism of relaxation of the carriers is essential for sufficiently thin and clean wire from the А3В5 and А4В6 type of semiconductors at low temperatures. The quantum size effects that are typical of quasi-one-dimensional systems were revealed. Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідни- кового дроту внаслідок гаусівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків не- виродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких тем- пературах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем. Теоретически определены электропроводность, термоэдс и теплопроводность квантовой полупро- водниковой проволоки вследствие гауссовських флуктуаций толщины проволоки. Результаты приве- дены для случаев невырожденной и вырожденной статистики носителей заряда. Рассмотрен меха- низм релаксации носителей заряда является существенным для достаточно тонкого и чистого прово- локи из полупроводников типа А3В5 и А4В6 при низких температурах. Определены квантово- размерные эффекты, характерные для квазиодномерных систем.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)