Вплив одновісного тиску на σ2-провідність сильно легованого p-Si(B)

Abstract

У роботі представлені результати досліджень тензорезистивного ефекту в сильно деформованих слабкоізоляторних кристалах р-Si(В) в області σ2-провідності для головних кристалографічних на- прямків X||[111], X||[110] та X||[001]. Робота переслідує мету дослідити вплив сильного одновісного тиску на домішкову σ2-провідність у кристалах p-Si(B) із концентрацією домішок, яка наближається до критичної концентрації переходу метал-ізолятор та встановити механізми досліджуваних ефектів. Встановлено, що немонотонні залежності Px / Po = f(X) поздовжнього тензорезистивного ефекту для головних кристалографічних орієнтацій та їх анізотропія визначаються зміною ефективних мас важ- ких дірок з тиском, обумовленою відповідними закономірностями перебудови енергетичного спектру валентної зони за рахунок зняття виродження зон важких і легких дірок при одновісному тиску.

В работе представлены результаты исследований тензорезистивного эффекта в сильно деформированных слабоизоляторных кристаллах р-Si(В) в области σ2-проводимости для главных кристаллографических направлений X||[111] , X||[110] и X||[001]. Работа преследует цель исследовать влияние сильного одноосного давления на примесную σ2-проводимость в кристаллах p-Si(B) с концентрацией примесей, которая приближается к критической концентрации перехода металл-изолятор и установить механизмы исследуемых эффектов. Установлено, что немонотонные зависимости Px / Po = f(X) продольного тензорезистивного эффекта для главных кристаллографических ориентаций и их анизотропия определяются изменением эффективных масс тяжелых дырок с давлением, обусловленным соответствующими закономерностями перестройки энергетического спектра валентной зоны за счет снятия вырождения зон тяжелых и легких дырок при одноосном давления.

The paper presents the results of research tensoresistive effect in strongly deformed weakisolator p - Si(B) crystals in the range of σ2-conductivity for the main crystallographic directions X||[111], X||[110] and X||[001]. The work aims to investigate the influence of strong uniaxial pressure on impurity σ2-conductivity in p-Si(B) crystals with a concentration of impurities, which is close to the critical concentration of metal-insulator transition and to establish mechanisms for the studied effects. It was found that non-monotonic dependence Px / Po = f(X) of the longitudinal tensoresistive effect for the main crystallographic orientations and their anisotropy defined by a change in the effective mass of the heavy holes with the pressure caused by the relevant laws of the restructuring of the energy spectrum of the valence band by removing the degeneracy of the bands of heavy and light holes under uniaxial pressure.