Raman Study of CVD Graphene Irradiated by Swift Heavy Ions

Kolesov, E.A.; Tivanov, M.S.; Korolik, O.V.; Apel, P.Yu.; Skuratov, V.A.; Saad, A.M.; Komissarov, I.V.; Swic, A.; Żukowski, P.V.; Koltunowicz, T.N.

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65870

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Raman Study of CVD Graphene Irradiated by Swift Heavy Ions
Автори	Kolesov, E.A. Tivanov, M.S. Korolik, O.V. Apel, P.Yu. Skuratov, V.A. Saad, A.M. Komissarov, I.V. Swic, A. Żukowski, P.V. Koltunowicz, T.N.
ORCID
Ключові слова	Irradiated graphene Defects Raman spectroscopy CVD Swift heavy ions
Вид документа	Стаття
Дати випуску	2017
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65870
Видавець	Sumy State University
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	Raman Study of CVD Graphene Irradiated by Swift Heavy Ions [Текст] / E.A. Kolesov, M.S. Tivanov, O.V. Korolik [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 3. - 03020. - DOI: 10.21272/jnep.9(3).03020.
Короткий огляд (реферат)	CVD-graphene on silicon was irradiated by accelerated heavy ions (Xe, 160 MeV, fluence of 1011 cm-2) and characterized by Raman spectroscopy. The defectiveness of pristine graphene was found to be dominated by grain boundaries while after irradiation it was determined by both grain boundaries and vacancies. Respectively, average inter-defect distance decreased from ~ 24 to ~ 13 nm. Calculations showed that the ion irradiation resulted in a decrease in charge carrier mobility from ~ 4.0 × 103 to ~ 1.3·103 cm2/V s. The results of the present study can be used to control graphene structure, especially vacancies concentration, and charge carrier mobility.
Розташовується у зібраннях:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)