Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65885
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title CdTe Based X/γ-ray Detector with MoO[x] Contacts
Other Titles CdTe детекторы X/γ излучения с MoOx контактами
CdTe детектори X/γ випромінювання з MoOx контактами
Authors Maslyanchuk, O.L.
Solovan, M.M.
Brus, V.V.
Maistruk, E.V.
Solodin, S.V.
ORCID
Keywords CdTe
MoOx
Radiation detector
Детектори випромінювання
Детекторы излучения
Schottky diodes
Діоди Шотткі
Диоды Шоттки
Charge transport
Перенос заряду
Перенос заряда
Space-charge-limited currents
Струми обмежені просторовим зарядом
Токи ограниченные пространственным зарядом
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65885
Publisher Sumy State University
License
Citation CdTe Based X/γ-ray Detector with MoO[x] Contacts [Текст] / O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, V.V. Brus [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 3. - 03035. - DOI: 10.21272/jnep.9(3).03035.
Abstract The electrical characteristics of the Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo heterostructures, manufactured by magnetron sputtering of molybdenum oxide thin films on CdTe semi-insulating crystals produced by Acrorad Co. Ltd were studied. Optimization of substrate conditions pretreatment and contacts deposition allowed to reduce the dark current of the detectors compared with earlier analogs and, consequently, to improve its spectrometric characteristics. The charge transport mechanisms for ensuring the low values of reverse currents in the structures were determined: the generation-recombination in the space charge region (SCR) at relatively low voltages and currents limited by the space charge at high voltages. It is shown that the heterostructure Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo can be used for practical applications in the X- and γ-ray detectors.
Досліджено електричні характеристики гетероструктур Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo, виготовлених методом магнетронного напилення плівок оксиду молібдену на напівізолюючі кристали CdTe виробництва Acrorad Co. Ltd. Оптимізація умов попередньої обробки підкладинок і нанесення контактів дозволила зменшити темновий струм детектора у порівнянні з раніше отриманими аналогами і, як наслідок, покращити його спектрометричні характеристики. Проаналізовано механізми переносу заряду, які забезпечують низькі значення зворотного струму в досліджуваних структурах: генерація-рекомбінація в області просторового заряду (ОПЗ) при відносно низьких напругах і струми, обмежені просторовим зарядом, при високих напругах. Показано, що гетероструктури Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo можуть бути використані для практичного застосування в детекторах X- и γ-випромінювання.
Исследованы электрические характеристики гетероструктур Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo, изготовленных методом магнетронного напыления пленок оксида молибдена на полуизолирующие кристаллы CdTe производства Acrorad Co. Ltd. Оптимизация условий предварительной обработки подложек и нанесения контактов позволила уменьшить темновой ток детектора по сравнению с ранее полученными аналогами и, как следствие, улучшить его спектрометрические характеристики. Проанализированы механизмы переноса заряда, обеспечивающие низкие значения обратных токов в исследуемых структурах: генерация-рекомбинация в области пространственного заряда (ОПЗ) при относительно низких напряжениях и токи, ограниченные объемным зарядом, при высоких напряжениях. Показано, что гетероструктуры Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo могут быть использованы для практического применения в детекторах X- и γ-излучения.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
China China
12919228
Finland Finland
1
Germany Germany
20
Ireland Ireland
88545
Japan Japan
3339375
Lithuania Lithuania
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
1115358
United Kingdom United Kingdom
580039
United States United States
64157874
Unknown Country Unknown Country
83317583
Vietnam Vietnam
1782

Downloads

China China
25838457
Germany Germany
1
India India
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
1115359
United Kingdom United Kingdom
44719
United States United States
25838457
Unknown Country Unknown Country
12
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
jnep_V9_03035_4.pdf 369.39 kB Adobe PDF 52837009

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.