Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65950
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Effect of the Magnetron Sputtering Parameters on the Structure and Substructural Characteristics of Tantalum Diboride Films
Other Titles Влияние параметров магнетронного распыления на структуру и субструктурные харак-теристики пленок диборида тантала
Вплив параметрів магнетронного розпилення на структуру і субструктурні характеристики плівок дибориду танталу
Authors Honcharov, Oleksandr Andriiovych  
Yunda, Andrii Mykolaiovych
Shelest, Ihor Vladyslavovych
Buranych, Volodymyr Volodymyrovych
Keywords Magnetron sputtering
Магнетронне розпилення
Магнетронное распыление
Tantalum diboride
Диборид танталу
Диборид тантала
Bias potential
Потенціал зміщення
Потенциал смещения
Structure
Структура
Nanohardness
Нанотвердість
Нанотвердость
Elastic modulus
Модуль пружності
Модуль упругости
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/65950
Publisher Sumy State University
License
Citation Effect of the Magnetron Sputtering Parameters on the Structure and Substructural Characteristics of Tantalum Diboride Films [Текст] / A.A. Goncharov, A.N. Yunda, I.V. Shelest, V.V. Buranich // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 4. – 04014. – DOI: 10.21272/jnep.9(4).04014.
Abstract The effect of the RF- and DC-magnetron sputtering parameters on the structure and substructural characteristics of protective coatings based on tantalum diboride thin films was studied in this work.The results of the studies showed that the sign and magnitude of the applied bias potential at the use of both types of magnetron sputtering (RF and DC) have a crucial effect on the structure and substructural properties of tantalum diboride films. It was established that nanocrystalline tantalum diboride films of the overstoichiometric composition (CВ/CТа ≈ 2.2-2.6) and having strong growth texture in plane (00.1) were obtained at the bias potential of + 50 V and – 50 V in the RF- and DC-magnetron sputtering respectively. Thus obtained films had the best physico-mechanical properties and general substructural characteristic quantities: nanocristallites size of ~ 30 nm, and increased value of «c» parameter compared with the tabulated.
У роботі проводились дослідження впливу параметрів магнетронного (ВЧ та ПС) розпилення на формування структури і субструктурних характеристик захисних покриттів на основі тонких плівок дибориду танталу. Результати проведених досліджень показали, що знак і величина прикладеного потенціалу зміщення при використанні обох типів магнетронного розпилення (ВЧ та ПС) має визначальний вплив на формування структури, складу і фізико-механічних властивостей плівок дибориду танталу. Встановлено, що нанокристалічні плівки дибориду танталу надстехіометричного складу (СВ/СТа ≈ 2,2-2,6), які мають сильну текстуру росту площиною (00.1) були отримані при потенціалах зміщення + 50 В та – 50 В при ВЧ- та ПС-магнетронному розпиленнях відповідно. При цьому отримані плівки мали найкращі фізико-механічні властивості і загальні характерні субструктурні величини: розмір нанокристалітів ~ 30 нм, і збільшене значення параметра «с» у порівнянні з табличним.
В работе проводились исследования влияния параметров магнетронного (ВЧ и ПТ) распыления на формирование структуры и субструктурных характеристик защитных покрытий на основе тонких пленок диборида тантала. Результаты проведенных исследований показали, что знак и величина приложенного потенциала смещения при использовании обоих типов магнетронного распыления (ВЧ и ПС) имеет определяющее влияние на формирование их структуры и субструктурных свойств. Установлено, что нанокристаллические пленки диборида тантала сверхстехиометрического состава (СВ/CTa ≈ 2,2-2,6), обладающие сильной текстурой роста плоскостью (00.1) были получены при потенциале смещения + 50 В и – 50 В при ВЧ- и ПТ-магнетронном распылениях соответственно. При этом полученные пленки имели наилучшие физико-механические свойства и общие характерные субструктурные величины: размер нанокристаллитов ~ 30 нм, и увеличенное значение параметра «с» по сравнению с табличным.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

France France
1
Germany Germany
6421
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
802
Russia Russia
1
Slovakia Slovakia
1
Sweden Sweden
1
Ukraine Ukraine
374
United Kingdom United Kingdom
1605
United States United States
6422
Unknown Country Unknown Country
22
Vietnam Vietnam
3211

Downloads

China China
3
Germany Germany
1
Russia Russia
1
Ukraine Ukraine
351
United Kingdom United Kingdom
1
Unknown Country Unknown Country
6
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
jnep_V9_04014_5.pdf 341,3 kB Adobe PDF 364

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.