Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66001
Title: Вплив електронного опромінення на анізотропію електропровідності n-InSe
Other Titles: Влияние электронного облучения на анизотропию електропроводности n-InSe
Effect of Electron Irradiation on Conductivity Anisotropy in n-InSe
Authors: Ковалюк, З.Д.
Мінтянський, І.В.
Савицький, П.І.
Keywords: Селенід індію
Селенид индия
Indium selenide
Електронне опромінення
Электронное облучение
Electron irradiation
Анізотропія електропровідності
Анизотропия электропроводности
Conductivity anisotropy
Міжшаровий бар'єр
Межслоевой барьєр
Interlayer barrier
Двовимірний електронний газ
Двумерный электронный газ
Twodimensional electron gas
Issue Year: 2017
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Ковалюк, З.Д. Вплив електронного опромінення на анізотропію електропровідності n-InSe [Текст] / З.Д. Ковалюк, І.В. Мінтянський, П.І. Савицький // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 6. – 06013. – DOI: 10.21272/jnep.9(6).06013.
Abstract: До та після електронного опромінення у діапазоні 80-400 К досліджується анізотропія електропровідності та механізм перенесення заряду впоперек шарів n-InSe. Встановлено, що початково висока, але слабо залежна від температури анізотропія після е-впливу істотно зростає та активаційно змінюється з температурою. Результати пояснені наявністю планарних дефектів, що стимулюють утворення потенціальних бар'єрів між шарами. Разом з тривимірними електронами, що термічно активуються чи тунелюють при транспорті перпендикулярно до шарів, враховано й двовимірні, які впливають тільки на поздовжню провідність. Розрахунки показали, що роль останніх посилюється після опромінення.
До и после электронного облучения в диапазоне 80-400 К исследуется анитзотропия электропроводности и механизм переноса заряда поперек слоев n-InSe. Установлено, что изначально высокая, но слабо зависимая от температуры анизотропия после е-влияния существенно увеличивается и активационно изменяется с температурой. Результаты объяснены наличием планарных дефектов, стимулирующих образование потенциальных барьеров между слоями. Вместе с трехмерными электронами, которые термически активируются или туннелируют при транспорте перпендикулярно слоям, учтены и двумерные, влияющие только на продольную проводимость. Расчѐты показали, что роль последних усиливается после облучения.
For crystals n-InSe before and after electron irradiation the conductivity anisotropy and across the layers charge transfer mechanism are investigated in the temperature range 80 to 400 K. It is established that the anisotropy ratio, being initially high and slightly dependent on temperature, considerably increases and exponentially changes with temperature after the e-irradiation. The results are explained by the presence of planar defects, which promote the formation of potential barriers between the layers. Along with the three-dimensional electrons thermally activated or tunneled at charge transport across the layers, the two-dimensional ones affecting only the longitudinal conductivity are taken into account. It follows from the numerical calculations that the latter contribution becomes more essential after the irradiation.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66001
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other5
Germany1
France1
United States4
Downloads
Other1
Germany1


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
JNEP_06013_5.pdf383.83 kBAdobe PDF2Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.