Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66001
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Вплив електронного опромінення на анізотропію електропровідності n-InSe
Other Titles Влияние электронного облучения на анизотропию електропроводности n-InSe
Authors Ковалюк, З.Д.
Мінтянський, І.В.
Савицький, П.І.
Keywords Селенід індію
Селенид индия
Indium selenide
Електронне опромінення
Электронное облучение
Electron irradiation
Анізотропія електропровідності
Анизотропия электропроводности
Conductivity anisotropy
Міжшаровий бар'єр
Межслоевой барьєр
Interlayer barrier
Двовимірний електронний газ
Двумерный электронный газ
Twodimensional electron gas
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66001
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Ковалюк, З.Д. Вплив електронного опромінення на анізотропію електропровідності n-InSe [Текст] / З.Д. Ковалюк, І.В. Мінтянський, П.І. Савицький // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 6. – 06013. – DOI: 10.21272/jnep.9(6).06013.
Abstract До та після електронного опромінення у діапазоні 80-400 К досліджується анізотропія електропровідності та механізм перенесення заряду впоперек шарів n-InSe. Встановлено, що початково висока, але слабо залежна від температури анізотропія після е-впливу істотно зростає та активаційно змінюється з температурою. Результати пояснені наявністю планарних дефектів, що стимулюють утворення потенціальних бар'єрів між шарами. Разом з тривимірними електронами, що термічно активуються чи тунелюють при транспорті перпендикулярно до шарів, враховано й двовимірні, які впливають тільки на поздовжню провідність. Розрахунки показали, що роль останніх посилюється після опромінення.
До и после электронного облучения в диапазоне 80-400 К исследуется анитзотропия электропроводности и механизм переноса заряда поперек слоев n-InSe. Установлено, что изначально высокая, но слабо зависимая от температуры анизотропия после е-влияния существенно увеличивается и активационно изменяется с температурой. Результаты объяснены наличием планарных дефектов, стимулирующих образование потенциальных барьеров между слоями. Вместе с трехмерными электронами, которые термически активируются или туннелируют при транспорте перпендикулярно слоям, учтены и двумерные, влияющие только на продольную проводимость. Расчѐты показали, что роль последних усиливается после облучения.
For crystals n-InSe before and after electron irradiation the conductivity anisotropy and across the layers charge transfer mechanism are investigated in the temperature range 80 to 400 K. It is established that the anisotropy ratio, being initially high and slightly dependent on temperature, considerably increases and exponentially changes with temperature after the e-irradiation. The results are explained by the presence of planar defects, which promote the formation of potential barriers between the layers. Along with the three-dimensional electrons thermally activated or tunneled at charge transport across the layers, the two-dimensional ones affecting only the longitudinal conductivity are taken into account. It follows from the numerical calculations that the latter contribution becomes more essential after the irradiation.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

France France
1
Germany Germany
1
Ukraine Ukraine
22
United States United States
4
Unknown Country Unknown Country
14

Downloads

Germany Germany
1
Unknown Country Unknown Country
2

Files

File Size Format Downloads
JNEP_06013_5.pdf 383,83 kB Adobe PDF 3

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.