Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66019
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію
Other Titles Formation of Filamentary Structures of Oxide on the Surface of Monocrystalline Gallium Arsenide
Формирование нитевидных оксидных структур на поверхности монокристаллического арсенида галлия
Authors Вамболь, С.О.
Богданов, І.Т.
Вамболь, В.В.
Сичікова, Я.О.
Кондратенко, О.М.
Несторенко, Т.П.
Онищенко, С.В.
ORCID
Keywords Арсенід галію
Арсенид галлия
Gallium Arsenide
Напівпровідники
Полупроводник
Semiconductor
Нанодроти
Нанопровода
Nanowires
Електрохімічне Травлення
Электрохимическое Травление
Electrochemical Etching
Електроліт
Электролит
Electrolyte
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66019
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію [Текст] / С.О. Вамболь, І.Т. Богданов, В.В. Вамболь [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 6. – 06016. – DOI: 10.21272/jnep.9(6).06016.
Abstract У роботі представлено метод формування ниткоподібних оксидних нанокристалітів на поверхні монокристалічного арсеніду галію. Нанодроти було сформовано методом електрохімічного травлення у розчині соляної та бромистої кислот. Оцінено морфологічні властивості отриманих структур та показано можливість застосування їх у якості газових сенсорів. Стабільність властивостей нанодротів забезпечується наявністю оксидної фази на їх верхівках та по поверхні. Нахил нанодротів пояснюється виходячи з стійкості кристалографічних площин їх граней.
В работе представлен метод формирования нитевидных оксидных нанокристаллитов на поверхности монокрсталлического арсенида галлия. Нанопровода были сформированы методом электрохимического травления в растворе соляной и бромистой кислот. Оценены морфологические свойства полученных структур и показана возможность применения их в качестве газовых сенсоров. Стабильность свойств нанопроводов обеспечивается наличием оксидной фазы на их пиках и по поверхности. Наклон нанопроводов объясняется исходя из устойчивости кристаллографических плоскостей их граней.
The method of forming filamentary oxide nanocrystals on a surface of monocrystalline gallium arsenide. Nanowires were formed by electrochemical etching in hydrochloric acid and methyl. Reviewed morphological properties of the structures and the possibility of their use as gas sensors. The stability properties of nanowires is ensured by the oxide phase at their tops and on the surface. The slope of the nanowires is explained on the basis of the stability of crystallographic planes of their faces.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Argentina Argentina
1
Germany Germany
19536
Ireland Ireland
13026
Lithuania Lithuania
1
Netherlands Netherlands
1
Poland Poland
1
Ukraine Ukraine
181005
United Kingdom United Kingdom
90837
United States United States
1511424
Unknown Country Unknown Country
181004

Downloads

China China
1
Germany Germany
1335
India India
1
Ireland Ireland
6514
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
540598
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1026010
Unknown Country Unknown Country
22

Files

File Size Format Downloads
JNEP_06016_4.pdf 582.22 kB Adobe PDF 1574483

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.