Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66028
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Structure and Properties of the Cadmium Sulfide Films Received by Magnetron Dispersion Method
Other Titles Структура і властивості плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення
Структура и свойства плѐнок сульфида кадмия, полученных методом магнетронного распыления
Authors Zaitsev, R.V.
Kirichenko, M.V.
Migushchenko, R.P.
Veselova, N.V.
Khrypunov, G.S.
Dobrozhan, A.I.
Zaitseva, L.V.
Keywords Cadmium sulfide films
Плівки сульфіду кадмію
Пленки сульфида кадмия
Method of magnetron dispersion on a direct current
Метод магнетронного розпилення на постійному струмі
Метод магнетронного распыления на постоянном токе
Optical losses
Оптичні втрати
Оптические потери
Width of the forbidden region
Ширина забороненої зони
Ширина запрещенной зоны
Crystalline structure
Кристалічна структура
Кристаллическая структура
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66028
Publisher Sumy State University
License
Citation Structure and Properties of the Cadmium Sulfide Films Received by Magnetron Dispersion Method [Текст] / R.V. Zaitsev, M.V. Kirichenko, R.P. Migushchenko [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. – 2017. – Т.9, № 6. – 06020. – DOI: 10.21272/jnep.9(6).06020.
Abstract For the purpose of creation of the economic, suitable for large-scale application technology of formation of a layer of wide-scale "window", for thin-film photo-electric converters on the basis of sulfide and telluride of cadmium the pilot studies of temperature effect of a deposition of the films of sulfide of cadmium received by method of magnetron dispersion on a direct current on their optical properties and crystalline structure were conducted. By method of a two-channel optical spectroscopy it is established that a deposition of films of sulfide of cadmium at a temperature of 160 °C allows to form layers with a width of forbidden region of 1,41 eV that approaches value, characteristic of monocrystals, and the density of the photon flux passing through a cadmium sulfide layer in a spectral interval of a photosensitivity of telluride of cadmium at the level of 37,0 W∙nm∙cm2.
З метою створення економічної, придатної для широкомасштабного застосування технології фор- мування шару широкозонного «вікна» для тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів на основі сульфіду та телуриду кадмію були проведені експериментальні дослідження впливу температури осадження плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення на постійному струмі, на їх оптичні властивості і кристалічну структуру. Методом двоканальної оптичної спектрос- копії встановлено, що осадження плівок сульфіду кадмію при температурі 160 °С дозволяє формувати шари з шириною забороненої зони 1,41 еВ, що наближається до значення, характерного для монокри- сталів, і щільністю потоку фотонів, що проходять через шар сульфіду кадмію в спектральному інтер- валі фоточутливості телуриду кадмію, на рівні 37,0 37,0 Вт·нм·см2.
С целью создания экономичной, пригодной для широкомасштабного применения технологии фо- рмирования слоя широкозонного «окна» для тонкоплѐночных фотоэлектрических преобразователей на основе сульфида и теллурида кадмия были проведены экспериментальные исследования влияния температуры осаждения пленок сульфида кадмия, полученных методом магнетронного распыления на постоянном токе, на их оптические свойства и кристаллическую структуру. Методом двухканаль- ной оптической спектроскопии установлено, что осаждение плѐнок сульфида кадмия при температуре 160 С позволяет формировать слои с шириной запрещѐнной зоны 1,41 эВ, что приближается к значе- нию, характерному для монокристаллов, и плотностью потока фотонов, проходящих через слой суль- фида кадмия в спектральном интервале фоточувствительности теллурида кадмия, на уровне 37,0 Вт·нм·см2.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

France France
1
Germany Germany
368
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
2947
United Kingdom United Kingdom
737
United States United States
247
Unknown Country Unknown Country
8
Vietnam Vietnam
1474

Downloads

China China
2
Germany Germany
1
India India
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
109
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
246
Unknown Country Unknown Country
2
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
JNEP_06020_5.pdf 407,67 kB Adobe PDF 364

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.