Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66254
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Structure and Optical Properties CdS and CdTe Films on Flexible Substrate Obtained by DC Magnetron Sputtering for Solar Cells
Other Titles Структура та оптичні властивості тонких плівок CdS та CdTe для сонячних елементів на гнучких підкладках, отриманих магнетронним розпиленням на постійному струмі
Структура и оптические свойства тонких пленок CdS и CdTe для солнечных элементов на гибких подложках, полученных магнетронным распылением на постоянном токе
Authors Kopach, G.I.
Mygushchenko, R.P.
Khrypunov, G.S.
Dobrozhan, A.I.
Harchenko, M.M.
Keywords Cadmium sulphide
Cadmium telluride
Direct current magnetron sputtering
Solar cell
Thin films
Сульфід кадмію
Телурид кадмію
Магнетронне розпилення на постійному струмі
Сонячний елемент
Тонкі плівки
Сульфид кадмия
Теллурид кадмия
Магнетронное распыление на постоянном токе
Солнечный элемент
Тонкие пленки
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66254
Publisher Sumy State University
License
Citation Structure and Optical Properties CdS and CdTe Films on Flexible Substrate Obtained by DC Magnetron Sputtering for Solar Cells [Текст] / G.I. Kopach, R.P. Mygushchenko, G.S. Khrypunov [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 5. - 05035. - DOI: 10.21272/jnep.9(5).05035.
Abstract The paper describes investigate of crystal structure and optical characteristics of the CdS transparent window layers and the CdTe base layers, obtained by direct current magnetron sputtering on glass or polyimide substrate, and output parameters the flexible thin film solar cells based on them. The band gap in obtained hexagonal CdS films is Eg = 2.38-2.41 eV and optical transparency of CdS films is 80-90%. Conducting chloride treatment of CdTe layers, obtained at T < 300 °C, promotes wurtzite-sphalerite phase transition. Cooling ITO/CdS layers to room temperature before CdTe deposition, removal of the air and subsequent heating in vacuum to the required temperature of the substrate leads to an increase of the energy conversion efficiency and open circuit voltage of the polyimide/ITO/CdS/CdTe/Cu/Ag flexible solar cell.
Дослідженно кристалічну структуру та оптичні характеристики шарів широкозонного вікна CdS та базових шарів CdTe, отриманих за допомогою магнетронного розпилення на постійному струмі на скляних або поліімідних підкладках, а також вихідні параметрі гнучких тонкоплівкових сонячних елементів на їх основі. Ширина забороненої зони матеріалу у отриманих плівках CdS гексагональної модифікації становить Eg = 2,38-2,41 еВ, а оптична прозорість плівок CdS становить 80-90%. Проведення хлоридної обробки шарів CdTe, отриманих при Т < 300 °С, сприяє фазовому переходу вюртцитсфалерит. Охолодження шарів ITO/CdS до кімнатної температури доперед конденсацією базового шару CdTe, винесення на повітря та послідуючий нагрів у вакуумі до необхідної температури підкладки призводить до збільшення коефіцієнту корисної дії та напруги холостого ходу гнучкого тонкоплівкового сонячного елемента поліімід/ITO/CdS/CdTe/Cu/Ag.
Исследовано кристаллическую структуру и оптические характеристики слоев широкозонного окна CdS и базовых слоев CdTe, полученных с помощью магнетронного распыления на постоянном токе на стеклянных или полиимидной подложках, а также выходные параметре гибких тонкопленочных солнечных батарей на их основе. Ширина запрещенной зоны материала в полученных пленках CdS гексагональной модификации составляет Eg = 2,38-2,41 эВ, а оптическая прозрачность пленок CdS составляет 80-90%. Проведение хлоридной обработки слоев CdTe, полученных при Т < 300 °С, способствует фазовому переходу вюртцит-сфалерит. Охлаждение слоев ITO/CdS до комнатной температуры перед конденсацией базового слоя CdTe, вынесения на воздух и последующий нагрев в вакууме до необходимой температуры подложки приводит к увеличению коэффициента полезного действия и напряжения холостого хода гибкого тонкопленочного солнечного элемента полиимид/ITO/CdS/CdTe/Cu/Ag.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Germany Germany
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
116
United Kingdom United Kingdom
2071
United States United States
2072
Unknown Country Unknown Country
10
Vietnam Vietnam
1036

Downloads

China China
2
Germany Germany
1
India India
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
5308
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1034
Unknown Country Unknown Country
16
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
JNEP_05035.pdf 548,93 kB Adobe PDF 6365

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.