Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66263
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title States Density Distribution for Determination of a-Si:H Photoconductivity
Other Titles Розподіл щільності станів для визначення фотопровідності a-Si:H
Распределение плотности состояний для определения фотопроводимости a-Si:H
Authors Babychenko, O.Yu.
Pashchenko, A.G.
ORCID
Keywords Solar element
Amorphous silicon
Photo absorption
Energy zones
Солнечный элемент
Аморфный кремний
Фотопроводимость
Энергетические зоны
Сонячний елемент
Аморфний кремній
Фотопровідність
Енергетичні зони
Type Article
Date of Issue 2017
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/66263
Publisher Sumy State University
License
Citation Babychenko, O.Yu. States Density Distribution for Determination of a-Si:H Photoconductivity [Текст] / O.Yu. Babychenko, A.G. Pashchenko // Журнал нано- та електронної фізики. - 2017. - Т.9, № 5. - 05044. - DOI: 10.21272/jnep.9(5).05044.
Abstract The paper presents an empirical model of the spectral dependence of the distribution of densities of electron states, which covers the main features of hydrogenated amorphous silicon. The effect of the degree of disorder the amorphous structure on the shape and size of tails in electronic states valence band and conduction band. These tails in the forbidden area affect many of the unique properties of amorphous semiconductors. The results can be applied for optimization of technology and modeling of many devices based on amorphous silicon (solar cells, transistors, etc.).
В работе приведена эмпирическая модель спектральной зависимости распределения плотностей электронных состояний, которая охватывает основные особенности аморфного кремния. Показано влияние степени разупорядоченности аморфной структуры на форму и величину хвостов электронных состояний валентной зоны и зоны проводимости. Данные хвосты в запрещенной зоне влияют на многие уникальные свойства аморфных полупроводников. Результаты могут быть применены для оптимизации технологии и моделировании работы многих приборов на основе аморфного кремния (солнечных элементов, транзисторов и др.).
В роботі наведена емпірична модель спектральної залежності розподілу щільності електронних станів, яка охоплює основні особливості аморфного кремнію. Показано вплив ступеня розупорядкованості аморфної структури на форму і величину хвостів електронних станів валентної зони та зони провідності. Ці хвости в забороненій зоні впливають на багато унікальних властивостей аморфних напівпровідників. Результати можуть бути застосовані для оптимізації технології та моделюванні роботи багатьох приладів на основі аморфного кремнію (сонячних елементів, транзисторів та ін.).
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Germany Germany
1
Ireland Ireland
5543
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
206220
United Kingdom United Kingdom
20550
United States United States
141175
Unknown Country Unknown Country
12
Vietnam Vietnam
812

Downloads

China China
1
Germany Germany
1
India India
1
Japan Japan
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
76130
United Kingdom United Kingdom
405
United States United States
141174
Unknown Country Unknown Country
4
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
JNEP_05044.pdf 376.32 kB Adobe PDF 217719

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.