Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67432
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Amplitude-time Characteristics of Switching in Thin Films of Cadmium Telluride
Other Titles Амплитудно-временные характеристики переключения в тонких пленках теллурида кадмия
Амплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кадмію
Authors Khrypunov, М.G.
Zaitsev, R.V.
Kudii, D.A.
Khrypunova, A.L.
ORCID
Keywords cadmium Telluride films
amplitude-time characteristics
X-ray diffractometry
scanning electron microscopy
melted high-conductivity channel
пленки теллурида кадмия
амплитудно-временные характеристики
рентгеновская дифрактометрия
плівки телуриду кадмію
растровая электронная микроскопия
расплавленный высокопроводящий канал
амплітудно-часові характеристики
рентгенівська дифрактометрія
растрова електронна мікроскопія
розплавлений високопровідний канал
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67432
Publisher Sumy State University
License
Citation Khrypunov М.G. Amplitude-time Characteristics of Switching in Thin Films of Cadmium Telluride [Текст] / М.G. Khrypunov, R.V. Zaitsev, D.A. Kudii, A.L. Khrypunova // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – Т.10, № 1. – 01016. - DOI: 10.21272/jnep.10(1).01016.
Abstract The amplitude-time characteristics of switching in thin films of cadmium telluride were investigated when single impulses of 1 μs duration are applied. It has been experimentally established that with an increase in the thickness of the cadmium telluride layer from 3 m to 8 m, an increase in the operating threshold from 70 V to 105 V is observed. The maximum residual sample voltage varies from 12 V to 40 V, the minimum – from 5 V to 20 V. The switching time of the samples was no more than 2 nanoseconds; the interelectrode capacity of the samples was no more than 2 pF. All the test samples were operated without failure 20 times. The structural studies of cadmium telluride films by the method of X-ray diffractometry and scanning electron microscopy have made it possible to propose a mechanism for realizing the monostable switching of the columnar structure of cadmium telluride films oriented in the form of melted highconductivity channels in grains oriented in the direction.
Были исследованы амплитудно-временные характеристики переключения в тонких пленках теллу- рида кадмия при подаче одиночных импульсов длительностью 1 мкс. Экспериментально установлено, что с ростом толщины слоя теллурида кадмия от 3 мкм до 8 мкм наблюдается увеличение порога срабатывания от 70 В до 105 В. Максимальное остаточное напряжение на образце изменяется от 12 В до 40 В, минимальное – от 5 В до 20 В. Время переключения образцов составляло не более 2 нсек, межэлектродная емкость образцов не более 2 пФ. Все исследуемые образцы сработали без отказа 20 раз. Проведенные структурные исследования пленок теллурида кадмия методом рентгеновской дифрактометрии и растровой электронной микроскопии позволили предложить механизм реализации моностабильного переключения, обусловленного образованиям расплавленных высокопроводящих каналов в зернах столбчатой структуры пленок теллурида кадмия, ориентированных в направлении.
Були досліджені амплітудно-часові характеристики перемикання в тонких плівках телуриду кад- мію при подачі одиночних імпульсів тривалістю 1 мкс. Експериментально встановлено, що з ростом товщини шару телуриду кадмію від 3 мкм до 8 мкм спостерігається збільшення порогу спрацьовуван- ня від 70 В до 105 В. Максимальна залишкова напруга на зразку змінюється від 12 В до 40 В, мініма- льна – від 5 В до 20 В. Час перемикання зразків становив не більше 2 нсек, міжелектродна ємність зразків не більше 2 пФ. Всі досліджувані зразки спрацювали без відмови 20 разів. Проведені структу- рні дослідження плівок телуриду кадмію методом рентгенівської дифрактометрії та растрової елект- ронної мікроскопії дозволили запропонувати механізм реалізації моностабільного перемикання обу- мовленого утворенням розплавлених високопровідних каналів в зернах стовпчатої структури плівок телуриду кадмію, орієнтованих в напрямку.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

France France
231635
Germany Germany
463272
Greece Greece
1
Ireland Ireland
301890698
Jordan Jordan
1
Lithuania Lithuania
115818
Portugal Portugal
1
Ukraine Ukraine
68678469
United Kingdom United Kingdom
6378219
United States United States
213245951
Unknown Country Unknown Country
603761207
Vietnam Vietnam
1408

Downloads

China China
1
France France
3234446
Germany Germany
463271
India India
1
Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
35956457
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
301890698
Unknown Country Unknown Country
603761208
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Khrypunov_jnep_V10_01016.pdf 277,99 kB Adobe PDF 945306086

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.