Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67813
Title: Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS
Authors: Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych 
Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych 
Данильченко, П.С.
Keywords: сонячні елементи
солнечные элементы
solar cells
тонкі плівки
тонкие пленки
thin films
хімічні елементи
химические элементы
chemical elements
Issue Year: 2018
Publisher: Сумський державний університет
Citation: Данильченко, П.С. Моделювання фізичних процесів у напівпровідникових сонячних елементах на основі гетеропереходів n-ITO(ZnO)/n-CdS(n-ZnS, ZnSe)/p-CZTS [Текст] / П.С. Данильченко, О.А. Доброжан, А.С. Опанасюк // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 5-9 лютого 2018 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми: СумДУ, 2018. – С. 97.
Abstract: Перспективним способом використання сонячної енергії є її перетворення в електричну, використовуючи сонячні елементи (СЕ), зокрема тонкоплівкові прилади типу “superstrate”, які мають багатошарову конструкцію. На теперішній час найбільш поширені СЕ першого та другого поколінь на основі поглинальних шарів Si, CdTe, GaAs, Cu(In1-x,Gax)(S1-xSex)2, які демонструють ефективність більшу за 20 %.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67813
Type: Theses
Appears in Collections:Наукові видання (ЕлІТ)

Views
Other13
Downloads
Other6


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
Danylchenko_Dobrozhan_Opanasiuk.pdf456.83 kBAdobe PDF6Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.