Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS

Опанасюк, Анатолій Сергійович; Voznyi, Andrii Andriiovych; Возний, Андрій Андрійович; Єрьоменко, Юрій Сергійович; Подопригора, О.О.; Фролов, А.І.

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67893

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS
Автори	Опанасюк, Анатолій Сергійович Voznyi, Andrii Andriiovych Возний, Андрій Андрійович Єрьоменко, Юрій Сергійович Подопригора, О.О. Фролов, А.І.
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-1888-3935 http://orcid.org/0000-0002-9153-8097
Ключові слова	фотоперетворювач фотопреобразователь photoconverters сонячна енергія солнечная энергия solar energy гетероструктури гетероструктуры heterostructures
Вид документа	Тези доповідей
Дати випуску	2018
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/67893
Видавець	Сумський державний університет
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	Фотоефект у приладовій структурі на основі гетеропереходу SnS/CdS [Текст] / О.О. Подопригора, Ю.С. Єрьоменко, А.А. Возний [та ін.] // Фізика, електроніка, електротехніка: матеріали та програма науково-технічної конференції, м. Суми, 5-9 лютого 2018 р. / Відп. за вип. С.І. Проценко. – Суми: СумДУ, 2018. – С. 108.
Короткий огляд (реферат)	В наш час відбувається активний пошук перспективних матеріалів та розробляються нові підходи до створення приладових структур з підвищеною ефективністю перетворення сонячної енергії в електричну. Для створення фотоперетворювачів (ФЕП) третього покоління в якості поглинального шару сьогодні почала використовуватися сполука сульфіду олова, яка відноситься до групи A4B6. SnS – нетоксичний, дешевий матеріал, складові елементи якого широко розповсюджені у земній корі.
Розташовується у зібраннях:	Наукові видання (ЕлІТ)