Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/684
Title: Implantation of Ta Ions Into a Copper Single Crystal (100) And (111)
Authors: Shablia, Vasyl Trokhymovych
Kshnyakin, V.S.
Kul`ment`eva, O.P.
Bondarenko, V.V.
Gritsenko, B.P.
Pohrebniak, Oleksandr Dmytrovych 
Keywords: implantaciya of ta ions
имплантация ионов
імплантація іонів
Issue Year: 2005
Publisher: Publisher SSU
Citation: Implantation of Ta Ions Into a Copper Single Crystal (100) And (111) [Текст] / A.D. Pogrebnjak, V.T. Shablya, V.S. Kshnyakin [et al.] // Вісник Сумського державного університету. Серія Фізика, математика, механіка. — 2005. — № 8(80). — C. 118-124.
Abstract: High-dose implantation (up to 1017 cm-2) of tantalum ions into a copper single crystal has been investigated. Irradiation of the copper crystals was performed in two different planes: (100) and (111). The maximum concentration of the tantalum atoms 5 at. % was observed for sample Cu (100). The Ta concentration in the Cu (111) surface after irradiation was only 1 at.%. Tantalum implantation was accompanied by surface carbonization and oxidation. Carbon and oxygen atoms were presented in the residual atmosphere of vacuum camber. The concentration of carbon and oxygen atoms on the surface reached 50 at. %. The microhardness of irradiated samples was ~ 30% higher than for untreated one. Also corrosion resistance enhancement was observed for implanted crystal. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/684
Description: Приведены данные исследования высокодозной (до 1017 см-2) имплантации ионов тантала в монокристаллы меди. Облучаемые медные кристаллы имели 2 различные ориентации: (100) и (111). Максимальная концентрация атомов Та 5 ат. % была обнаружена в Си (100). Концентрация Tа в Cu (111) после облучения составляла только 1 ат. %. Имплантация Та сопровождалась поверхностной карбидизацией и оксидированием. Атомы углерода и кислорода осаждались из остаточной атмосферы камеры имплантера. Концентрация атомов углерода и кислорода на поверхности достигла 50 ат. %. Микротвердость облученных образцов примерно на 30 процентов выше, чем необлученных образцов. Также было обнаружено увеличение коррозионной стойкости для имплантированных кристаллов.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/684
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other113
United Arab Emirates1
Canada1
China9
Germany26
EU1
France1
United Kingdom5
Iran2
Kazakhstan1
Morocco1
Netherlands16
Pakistan1
Poland1
Russia30
Slovakia3
Turkey24
Ukraine65
United States38
Downloads
Other259
China4
Germany3
Iran1
Russia3
United States3


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
8(80)_7.doc405.5 kBMicrosoft Word273Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.