Механізми струмопереносу в анізотипних гетеропереходах p-NiO/n-SiC

Abstract

Виготовлені гетероструктури p-NiO/n-SiC методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-SiC. Досліджено їх темнові вольтамперні характеристики в широкому діапазоні температур. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання. При зворотних зміщеннях основним механізмом струмопереносу є тунелювання через потенціальний бар’єр за участю енергетичного рівня з глибиною залягання 0.47 еВ.

Изготовленны гетероструктуры p-NiO/n-SiC методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов n-SiC. Исследованы их темновые вольтамперные характеристики в широком диапазоне температур. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении являются генерационно-рекомбинационный и туннелирование. При обратных смещениях основным механизмом токопереноса является туннелирование через потенциальный барьер с участием энергетического уровня с глубиной залегания 0.47 эВ.

Heterostructure p-NiO/n-SiС was fabrication by reactive magnetron sputtering thin films nickel oxide on substrates with crystal n-SiС. Studied their the dark current-voltage characteristics in a wide temperature range. It was found that the main charge transport mechanisms when a forward bias is generationrecombination and tunneling. In reverse bias, the main mechanism of current transfer is tunneling through a potential barrier involving an energy level with a depth of 0.47 eV.