Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68657
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Механізми струмопереносу в анізотипних гетеропереходах p-NiO/n-SiC
Other Titles Механизмы токопереноса в анизотипных гетеропереходах p-NiO/n-SiC
Authors Пархоменко, Г.П.
Солован, М.М.
Мар’янчук, П.Д.
Keywords гетероперехід
механізми струмопереносу
NiO
SiC
гетеропереход
механизмы токопереноса
heterojunction
charge transport mechanisms
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/68657
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Пархоменко, Г.П. Механізми струмопереносу в анізотипних гетеропереходах p-NiO/n-SiC [Текст] / Г.П. Пархоменко, М.М. Солован, П.Д. Мар'янчук // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т. 10, № 2. - 02028. - DOI: 10.21272/jnep.10(2).02028.
Abstract Виготовлені гетероструктури p-NiO/n-SiC методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-SiC. Досліджено їх темнові вольтамперні характеристики в широкому діапазоні температур. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є генераційно-рекомбінаційний і тунелювання. При зворотних зміщеннях основним механізмом струмопереносу є тунелювання через потенціальний бар’єр за участю енергетичного рівня з глибиною залягання 0.47 еВ.
Изготовленны гетероструктуры p-NiO/n-SiC методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов n-SiC. Исследованы их темновые вольтамперные характеристики в широком диапазоне температур. Установлено, что основными механизмами токопереноса при прямом смещении являются генерационно-рекомбинационный и туннелирование. При обратных смещениях основным механизмом токопереноса является туннелирование через потенциальный барьер с участием энергетического уровня с глубиной залегания 0.47 эВ.
Heterostructure p-NiO/n-SiС was fabrication by reactive magnetron sputtering thin films nickel oxide on substrates with crystal n-SiС. Studied their the dark current-voltage characteristics in a wide temperature range. It was found that the main charge transport mechanisms when a forward bias is generationrecombination and tunneling. In reverse bias, the main mechanism of current transfer is tunneling through a potential barrier involving an energy level with a depth of 0.47 eV.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

France France
1
Ukraine Ukraine
111
Unknown Country Unknown Country
15

Downloads

Ukraine Ukraine
95
Unknown Country Unknown Country
10

Files

File Size Format Downloads
Parkhomenko_mechanisms.pdf 535,36 kB Adobe PDF 105

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.