Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69262
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Effect of RF-magnetron Sputtering Parameters on the Structure of Hafnium Diboride Films
Other Titles Влияния параметров ВЧ-магнетронного распыления на структуру пленок диборида гафния
Authors Honcharov, Oleksandr Andriiovych
Yunda, Andrii Mykolaiovych
Buranych, Volodymyr Volodymyrovych
Shelest, Ihor Vladyslavovych
Лобода, В.Б.
Keywords magnetron discharge
hafnium diboride
bias potential
structure
ion current
магнетронное распыление
диборид гафния
потенциал смещения
структура
ионный ток
магнетронне розпилення
диборид гафнiя
потенціал зміщення
іонний струм
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69262
Publisher Sumy State University
License
Citation Effect of RF-magnetron Sputtering Parameters on the Structure of Hafnium Diboride Films [Текст] / A.A. Goncharov, A.N. Yunda, V.V. Buranich [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 3. - 03002. - DOI: 10.21272/jnep.10(3).03002.
Abstract The study reports about effect of energy factor on the structure formation of nanocrystalline hafnium diboride films. It was shown, that in the magnetron sputtering the change of energy density Ebi delivered to growing film by bombarding ions occurring due to changing in substrate bias potential Us and ion current density js, leads to the formation of hafnium diboride films with various structural states from nanoclustered to nanocrystalline with a growth texture in plane (0.01) and nanocrystallites size from 2.3 to 20 nm respectively.
Исследовано влияние энергетического фактора на формирование структуры нанокристаллических пленок диборида гафния. Показано, что при магнетронном распылении, изменение плотности энергии Ebi, доставляемой растущей пленке бомбардирующими ионами, за счет изменения потенциала смещения Us и плотности ионного тока js, на подложке приводит к формированию пленок диборида гафния различного структурного состояния от нанокластерного до нанокристаллического с текстурой роста нормалью к плоскости (0.01) и размером нанокристаллитов от 2,3 до 20 нм соответственно.
Досліджено вплив енергетичного фактора на формування структури нанокристалічних плівок дибориду гафнію. Показано, що при магнетронному розпиленні, зміна густини енергії Ebi, що постачається зростаючій плівці бомбардуючими іонами, за рахунок зміни потенціалу зміщення Us, та щільності іонного струму js, призводить до формування плівок дибориду гафнію різного структурного стану від нанокластерного до нанокристалічного із текстурою зростання нормаллю до площини (0.01) та розміром нанокристалітів від 2,3 до 20 нм відповідно.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Sweden Sweden
10
Ukraine Ukraine
42
Unknown Country Unknown Country
8

Downloads

Sweden Sweden
11
Ukraine Ukraine
1
Unknown Country Unknown Country
5

Files

File Size Format Downloads
JNEP_03002.pdf 699,64 kB Adobe PDF 17

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.