Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69267
Title: Numerical Simulation of SnS-Based Solar Cells
Other Titles: Числове моделювання сонячних елементів на основі SnS
Численное моделирование солнечных элементов на базе SnS
Authors: Ivashchenko, M.M.
Buryk, I.P.
Kuzmin, D.V.
Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych 
Keywords: solar cell
simulation
fill factor
efficiency
SCAPS
сонячний елемент
моделювання
фактор заповнення
К.К.Д.
солнечный элемент
моделирование
фактор заполнения
К.П.Д.
Issue Year: 2018
Publisher: Sumy State University
Citation: Numerical Simulation of SnS-Based Solar Cells [Текст] / M.M. Ivashchenko, A.S. Opanasyuk, I.P. Buryk, D.V. Kuzmin // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 3. - 03004. - DOI: 10.21272/jnep.10(3).03004.
Abstract: In this paper it was carried out the numerical simulation of the main working parameters (light current- voltage curves, quantum yield spectral distributions) of SnS-based (SnS/SnS2/ITO, SnS/ZnS/ITO) solar cells (SCs) using the SCAPS-3102 simulation package. Using the basis input simulation parameters such as wide band gap Eg,, layers thicknesses d, electron affinities х, etc. there were estimated the next SCs characteristics: open-circuit voltages UOC, short-circuit current densities JSC, fill-factors FF and their efficiencies ᶯ . These data allows us to estimate the optimal constructive parameters of simulated SCs.
В даній роботі проведене числове моделювання основних експлуатаційних характеристик (світлові вольт-амперні характеристики, спектральні розподіли квантової ефективності) сонячних елементів (СЕ), виконаних на базі шару SnS (SnS/SnS2/ITO, SnS/ZnS/ITO) з використанням програмного пакету SCAPS-3102. Обравши такі базові характеристики для моделювання, як ширина забороненої зони Eg,, товщини шарів d, спорідненості електронів х, тощо, були отримані наступні експлуатаційні характеристики СЕ: напруга холостого ходу UOC, густина струму короткого замикання JSC, фактор заповнення FF та коефіцієнт корисної дії фотоперетворення ᶯ. Отримані значення дозволили визначити оптимальні конструктивні параметри змодельованих сонячних елементів.
В данной работе было проведено численное моделирование основных эксплуатационных характеристик (световые вольт-амперные характеристики, спектральное распределения квантовой эффективности) солнечных элементов (СЭ), исполненных на основе слоя SnS (SnS/SnS2/ITO, SnS/ZnS/ITO) с использованием программного пакета SCAPS-3102. Избрав такие характеристики для моделирования, как ширина запрещенной зоны Eg,, толщины слоев d, электронное сродство х, и т.д., были получены следующие эксплуатационные характеристики СЭ: напряжение холостого хода UOC, плотность тока короткого замыкания JSC, фактор заполнения FF и коэффициент полезного действия фотопреоб- разования ᶯ. Полученные значения позволили определить оптимальные конструктивные параметры смоделированных солнечных элементов.
URI: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69267
Type: Article
Appears in Collections:Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views
Other15
Downloads
Other15


Files in This Item:
File Description SizeFormatDownloads 
JNEP_03004.pdf910.56 kBAdobe PDF15Download


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.