Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films

Gupta, H.; Fateh, Singh Gill; Sharma, S.K.; Kumar, R.; Mehra, R.M.

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70453

Використовуйте наступні посилання для розповсюдження матеріалу в соціальних мережах: Рекомендувати цей матеріал

Назва	Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films
Автори	Gupta, H. Fateh, Singh Gill Sharma, S.K. Kumar, R. Mehra, R.M.
ORCID
Ключові слова	a-Si:H dark and photoconductivity annealing effect S doped a-Si:H
Вид документа	Стаття
Дати випуску	2018
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу)	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70453
Видавець	Sumy State University
Ліцензія	Copyright не зазначено
Бібліографічний опис	Electronic Conduction in Annealed Sulfur-Doped a-Si:H Films [Текст] / H. Gupta, S.G. Fateh, S.K. Sharma [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 3. - 03014. - DOI: 10.21272/jnep.10(3).03014.
Короткий огляд (реферат)	In present work, the effect of annealing on dark and photo conductivity as well as the various causes of conduction mechanics in S doped amorphous hydrogenated silicon films (a-Si:H) is discussed. The variation of the dark conductivity as a function of temperature has been carried out on unannealed and annealed (annealed at an optimized temperature of 300 °C) thin film samples and the activation energy of dark conductivity of respective samples was also calculated at different temperatures. The Study concludes that at high temperatures, an activated type mechanism is responsible for conduction in the a-Si:H films.
Розташовується у зібраннях:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)