Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70759
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
Authors Галій, П.В.
Мазур, П.
Ціжевський, А.
Ненчук, Т.М.
Яровець, І.Р.
Бужук, Я.М.
Дверій, О.Р.
ORCID
Keywords шаруваті кристали
міжшарові поверхні сколювання
топографія
скануючі тунельна та атомно силова мікроскопії та спектроскопії
поверхневі дефекти та густина поверхневих електронних станів
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70759
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 / П.В. Галій, П. Мазур, А. Ціжевський, Т.М. Ненчук, І.Р. Яровець, Я.М. Бужук, О.Р. Дверій // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 4. - 04002. - DOI: 10.21272/jnep.10(4).04002.
Abstract В роботі наведені результати системного експериментального дослідження методами: дифракції повільних електронів (ДПЕ), скануючої тунельної мікроскопії та скануючої тунельної спектроскопії (СТМ/СТС), а також атомно силової мікроскопії та спектроскопії (АСМ/АСС), з врахуванням їх унік а- льних можливостей всестороннього, глибокого аналізу поверхонь шаруватих кристалів (ШК) In4Se3. Системне дослідження наноструктурованих напівпровідникових анізотропних матриць – поверхонь сколювання (ПС) (100) ШК In4Se3 проведено з метою їх використання для одержання наносистем на основі їх ПС. Досліджено вплив дефектів різної природи (точкових, лінійних, макродефектів) міжша- рових (ПС) (100) ШК In4Se3 на їх топографію та локальну густину поверхневих електронних станів (ЛГПЕС), а також на їх електронно-енергетичну структуру. Встановлено, що для всіх ШК із різною концентрацією дефектів має місце їх значний вплив на ЛГПЕС та електронно-енергетичну структуру міжшарових ПС. Показані унікальні експериментальні можливості СТМ/СТС, АСМ/АСС щодо дослі- дження топографії ПС, поряд з одержаними, з їх використанням, широкого ряду результатів спектро- скопії анізотропних наноструктурованих ПС (100) напівпровідникових ШК In4Se3.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Canada Canada
1
China China
177960
Greece Greece
1
Indonesia Indonesia
1
Ireland Ireland
1390
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
66564
United Kingdom United Kingdom
33480
United States United States
701881
Unknown Country Unknown Country
66563

Downloads

Canada Canada
1
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
177959
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
177959
Unknown Country Unknown Country
3

Files

File Size Format Downloads
Halii_sharuvati_krystaly.pdf 1.19 MB Adobe PDF 355925

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.