Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів

Павлюк, С.П.; Григорук, В.І.; Телега, В.М.; Петричук, М.В.; Іванчук, А.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70905

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів
Other Titles	Механизм возникновения колебаний напряжения в кремневой структуре при протекании экстремальных токов The Mechanism of Voltage Oscillations in a Siliceous Structure with the Occurrence of Extreme Currents
Authors	Павлюк, С.П. Григорук, В.І. Телега, В.М. Петричук, М.В. Іванчук, А.В.
ORCID
Keywords	КСДІ-структура екстремальний струм коливання напруги КСДИ-структура экстремальный ток колебания напряжения SSDI structure extreme current voltage oscillations
Type	Article
Date of Issue	2018
URI	http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70905
Publisher	Сумський державний університет
License
Citation	Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів [Текст] / С.П. Павлюк, В.І. Григорук, В.М. Телега [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 4. - 04010. - DOI: 10.21272/jnep.10(4).04010.
Abstract	В роботі проведені дослідження коливань напруги, що виникають при протіканні струмів високої густини через кремнієву структуру з діелектричною ізоляцією (КСДІ-структури). Досліджувались вольт-амперні характеристики структури в імпульсному режимі, характерні параметри отриманих осцилограм коливань як релаксаційних, так і квазігармонічних. Запропонована модель виникнення коливань. В работе проведены исследования колебаний напряжения, которые возникают при протекании токов высокой плотности через кремневую структуру с диэлектрической изоляцией (КСДИструктуры). Исследовались вольт-амперные характеристики структуры в импульсном режиме, характерные параметры полученных осциллограмм колебаний, как релаксационных, так и квазигармонических. Предложена модель возникновения колебаний. In the work, studies of voltage oscillations that occur during the flow of high-density currents through a silicon structure with dielectric insulation (SSDI structure) are carried out. Volt-ampere characteristics of the structure in the pulsed mode, characteristic parameters of the oscillograms of oscillations, both relaxation and quasi-harmonic, were studied. A model of the occurrence of oscillations is proposed.
Appears in Collections:	Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)