Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70919
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників
Other Titles Improvement of Electrochemical Supercapacitors by Using Nanostructured Semiconductors
Усовершенствование электрохимических суперконденсаторов путем использования наноструктурированных полупроводников
Authors Вамболь, С.О.
Богданов, І.Т.
Вамболь, В.В.
Сичікова, Я.О.
Кондратенко, О.М.
Онищенко, С.В.
Несторенко, Т.П.
ORCID
Keywords суперконденсатор
напівпровідники
електрод
фосфід індію
наноструктури
електрохімічне травлення
полупроводники
электрод
фосфид индия
наноструктуры
электрохимическое травление
supercapacitor
semiconductors
electrode
phosphide india
nanostructures
electrochemical etching
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/70919
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників [Текст] / С.О. Вамболь, І.Т. Богданов, В.В. Вамболь [та ін.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 4. - 04020. - DOI: 10.21272/jnep.10(4).04020.
Abstract У роботі розглядаються шляхи підвищення ефективності електрохімічних суперконденсаторів за рахунок використання у якості електродів поруватих напівпровідників. Представлено методику виготовлення поруватого шару на поверхні фосфіду індію. Встановлено основні закономірності формування поруватих просторів та залежності морфологічних властивостей від режимів травлення. Для того, щоб забезпечити хімічну інертність наноструктурованої поверхні, запропоновано вкривати її шаром графіту. Це підвищує опір отриманих структур та стає підґрунтям для використання їх у якості електродів суперконденсаторів.
В работе рассматриваются пути повышения эффективности электрохимических суперконденсаторов за счет использования в качестве электродов пористых полупроводников. Представлено методику изготовления пористого слоя на поверхности фосфида индия. Установлены основные закономерности формирования пористых пространств и зависимости морфологических свойств от режимов травления. Для того, чтобы обеспечить химическую инертность наноструктурированных поверхностей, предложено покрывать их слоем графита. Это повышает сопротивление полученных структур и становится основой для использования их в качестве электродов суперконденсаторов.
The paper considers ways to increase the efficiency of electrochemical supercapacitors by using electrodes of porous semiconductors as electrodes. The technique of manufacturing porous layer on the surface of indium phosphide is presented. The basic regularities of the formation of porous spaces and the dependence of morphological properties on the patterns of etching are established. In order to provide the chemical inertia of the nanostructured surface, it is proposed to cover it with a layer of graphite. This increases the resistance of the resulting structures and becomes the basis for their use as electrodes of supercapacitors.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
766753
Germany Germany
54129
Greece Greece
1008
Ireland Ireland
14626
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
257043
United Kingdom United Kingdom
128773
United States United States
1533504
Unknown Country Unknown Country
257042

Downloads

Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Poland Poland
1
Ukraine Ukraine
766751
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
3012880
Unknown Country Unknown Country
8

Files

File Size Format Downloads
Vambol_electrochemical_etching.pdf 427,77 kB Adobe PDF 3779643

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.