Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71495
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Дальнодіюча пасивація домішкових атомів фосфору Pb-центрами та виникнення бар’єрів для електронів у поруватому кремнії n-типу
Other Titles Long-range Passivation of Phosphorus Impurity Atoms by Pb-centers and the Emergence of Barriers for Electrons in n-type Porous Silicon
Authors Птащенко, Ф.О.
ORCID
Keywords квантово-хімічні розрахунки
поруватий кремній
кулонівська блокада
Рb-центри
DFT calculations
Porous silicon
Pb-centers
Coulomb blockade
Type Article
Date of Issue 2018
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/71495
Publisher Сумський державний університет
License
Citation Птащенко, Ф.О. Дальнодіюча пасивація домішкових атомів фосфору Pb-центрами та виникнення бар'єрів для електронів у поруватому кремнії n-типу / Ф.О. Птащенко // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 5. - 05017. - DOI: 10.21272/jnep.10(5).05017
Abstract В роботі на основі квантовохімічних розрахунків показано, що пасивація домішкових атомів фосфору в поруватому кремнії n-типу (n-PS) поверхневими атомами кремнію з обірваними зв’язками (pb-центрами) може відбуватися на великих відстанях – до 25 Å, тобто через десятки атомних шарів. Негативний заряд pb-центрів, що виникає при цьому, спричинює виникнення областей зниженого потенціалу і кулонівських бар’єрів для вільних електронів у n-PS. Це дозволяє пояснити низьку концентрацію вільних носіїв заряду та низьку провідність n-PS у порівнянні з вихідною кремнієвою підкладкою.
DFT calculations showed that the passivation of phosphorus impurity atoms in n-type porous silicon (n-PS) by surface silicon atoms with dangling bonds (pb-centers) can occur at large distances – up to 25 Å, that is, through dozens of atomic layers. The negative charge of the pb-centers, arising in this case, causes the appearance of regions of reduced potential and Coulomb barriers for free electrons in n-PS. This allows one to explain the low concentration of free charge carriers and the low conductivity of n-PS as compared to the original silicon substrate.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
34953
Greece Greece
458
Ireland Ireland
1720
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
136374
United Kingdom United Kingdom
5959
United States United States
261060
Unknown Country Unknown Country
11688

Downloads

Ireland Ireland
1
Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
34952
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
261061
Unknown Country Unknown Country
2

Files

File Size Format Downloads
Ptashchenko_05017.pdf 509.13 kB Adobe PDF 296018

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.