Please use this identifier to cite or link to this item:
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Nano Silicon Carbide’s Stacking Faults, Deep Level’s and Grain Boundary’s Defects
Other Titles Дефекти упаковки наноструктурованого карбіду кремнію, дефекти глибоких рівнів та границь зерен
Authors Vlaskina, S.I.
Svechnikov, G.S.
Mishinova, G.N.
Vlaskin, V.I.
Rodionov, V.E.
Lytvynenko, V.V.
Keywords карбід кремнію
дефект упаковки
спектр фотолюмінесценції
silicon carbide
stacking fault
photoluminescence spectra
Type Article
Date of Issue 2018
Publisher Sumy State University
Citation Nano Silicon Carbide's Stacking Faults, Deep Level's and Grain Boundary's Defects = Дефекти упаковки наноструктурованого карбіду кремнію, дефекти глибоких рівнів та границь зерен / S.I. Vlaskina, G.S. Svechnikov, G.N. Mishinova [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2018. - Т.10, № 5. - 05021. - DOI: 10.21272/jnep.10(5).05021
Abstract У роботі аналізуються фотолюмінесцентні спектри кристалів SiC з дефектами, що виникають при вирощуванні. Показано, що дефекти упаковки та глибокі рівні люмінесцентного спектру відображають закономірності політичної структури SiC .Аналіз спектру нульових фотонів дефектів упаковки, глибоких рівнів і ганиць зерен в фотолюмінесцентному спектрі дає можливість контролювати процеси фазових перетворень при вирощуванні кристалів та плівок а також при проведенні технологічних операцій. Більш того, це також дає можливість в наноструктурованому карбіді кремнію визначати положення або зсув атомів, що беруть участь в фотолюмінесценції з точністю до 0,0787 ангстрем (або 1,075 меВ).
In this work, photoluminescence spectra of SiC crystals with ingrown original defects are analised It was shown that stalking fault and deep level luminescence spectra reflect the fundamental logic of the SiC polytype structure.The analysis of the zero- phonon spectra of the stalking fault, deep level, and grain boundary parts of the photoluminescence spectra makes it possible to control the processes of phase transformations within the growth process of crystals and films, as well as during the technological operations. Moreover, it makes it possible in nanostructures of silicon carbide. to determine the position or displacement of atoms participating in the photoluminescence with an accuracy of 0.0787 Angstrom (or 1.075 meV).
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)


Ukraine Ukraine
Unknown Country Unknown Country


Ukraine Ukraine
Unknown Country Unknown Country


File Size Format Downloads
Vlaskina_05021.pdf 596,8 kB Adobe PDF 6

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.