Електричні властивості гетероструктур n-TiN/p-Cd3In2Te6

Abstract

Виготовлені гетероструктури n-TiN/p-Cd3In2Te6 методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок нітриду титану на підкладки з кристалів p-Cd3In2Te6. Досліджено кінетичні властивості кристалів Cd3In2Te6, а також темнові вольт-амперні характеристики гетероструктури n-TiN/pCd3In2Te6 в інтервалі температур Т = 295-347 К. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є генераційно-рекомбінаційний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на границі розділу n-TiN/p-Cd3In2Te6 і тунелювання, при зворотних зміщеннях - тунелювання.

Heterostructures n-TiN/p-Cd3In2Te6 was fabrication by reactive magnetron sputtering thin films titanium nitride on substrates with crystal p-Cd3In2Te6. Investigated kinetic properties of Cd3In2Te6 crystals and also dark current-voltage characteristics of a heterostructures n-TiN/p-Cd3In2Te6 in the temperature range T = 295-347 K. It was established that the main transfer mechanisms in the forward bias is a generation-recombination current transfer mechanism involving surface states at the interface between the nTiN / p-Cd3In2Te6 and tunneling, under reverse bias - tunneling.