Please use this identifier to cite or link to this item: http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72868
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Short Communication Physical Features of Double Sided Diffusion of Lithium into Silicon for Large Size Detectors
Other Titles Фізичні особливості двосторонньої дифузії літію в кремній для великогабаритних детекторів
Authors Muminov, R.A.
Saymbetov, A.K.
Japashov, N.M.
Toshmurodov, Yo.K.
Radzhapov, S.A.
Kuttybay, N.B.
Nurgaliyev, M.K.
ORCID
Keywords Si (Li) детектори
дифузія Li
двостороння дифузія
Si(Li) detectors
Li diffusion
double sided diffusion
Type Article
Date of Issue 2019
URI http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/72868
Publisher Sumy State University
License
Citation Physical Features of Double Sided Diffusion of Lithium into Silicon for Large Size Detectors [Текст] / R.A. Muminov, A.K. Saymbetov, N.M. Japashov [et al.] // Журнал нано- та електронної фізики. - 2019. - Т. 11, № 2. - 02031. - DOI: 10.21272/jnep.11(2).02031
Abstract У роботі ми пропонуємо новий метод двосторонньої дифузії іонів літію в монокристалічну кремнієву пластину для подальшого виготовлення детекторів ядерного випромінювання Si (Li) з діаметром чутливої поверхні більше 110 мм і товщиною чутливого шару більше 4 мм. Встановлено, що оптимальний режим для дифузії літію у силікон великого розміру має місце при температурі T = (450 ± 20) °C, часі t = 3 мін та глибині проникнення літію hLi = (300 ± 10) мм. Розглянуто теоретичні припущення та експериментальні характеристики двосторонньої дифузії. Як вихідні матеріали, використовували монокристалічний циліндричний кремнієвий кристал р-типу без дислокацій, отриманий методом зонного плавлення (діаметром 110 мм, товщиною 8-10 мм, з питомим опором ρ = 1000 ÷ 10000 Ом·см і часом життя τ ≥ 500 мкс), і кремнієвий кристал р-типу, отриманий методом Чохральського (з діаметром 110 мм, питомим опором ρ = 10 ÷ 12 Ом·см, часом життя τ ≥ 50 мкс, вирощений в атмосфері аргону). Відповідно, вдосконалено технологічні процеси механічної та хімічної обробки напівпровідникових пластин на основі кремнію великої площі.
In this paper, we propose a new method for double sided diffusion of lithium ions into a monocrystalline silicon wafer for the further fabrication of Si (Li) p-i-n nuclear radiation detectors with a diameter of the sensitive surface of more than 110 mm and a thickness of the sensitive region of more than 4 mm. It was found that the optimal regime for lithium diffusion into large-diameter silicon is at a temperature of T = (450 ± 20) °C, time t = 3 min, thickness hLi = (300 ± 10) mm. The theoretical assumptions and experimental characteristics of double sided diffusion are considered. As initial material the dislocation free monocrystalline cylindrical silicon crystal of the p-type, obtained by the floating-zone method (with a diameter 110 mm, thickness 8-10 mm, resistivity ρ = 1000 ÷ 10000 Ohm·cm and life time τ ≥ 500 μs) and the silicon crystal of the p-type (with a diameter of 110 mm, resistivity ρ = 10 ÷ 12 Ohm·cm, lifetime τ ≥ 50 μs, grown in an argon atmosphere) obtained by the Czochralski method were used. Correspondingly, the technological processes of mechanical and chemical processing of semiconductor wafers based on silicon of a large area have been improved.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Germany Germany
1
Ireland Ireland
97033
Lithuania Lithuania
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
501677
United Kingdom United Kingdom
250925
United States United States
3497036
Unknown Country Unknown Country
18
Vietnam Vietnam
344

Downloads

Lithuania Lithuania
1
Ukraine Ukraine
947032
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
1797032
Unknown Country Unknown Country
10
Uzbekistan Uzbekistan
1
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Muminov_jnep_2_2019.pdf 442.54 kB Adobe PDF 2744078

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.